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다공성 탄소재 전극에 과망간산염을 도포하는 단계; 및상기 과망간산염이 도포된 다공성 탄소재 전극을 열처리하여 형성된 망간산화물을 상기 다공성 탄소재 전극의 표면에 담지하는 단계;를 포함하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 도포하는 단계는,상기 다공성 탄소재 전극을 과망간산염 용액에 침지하는 단계;상기 다공성 탄소재 전극에 과망간산염 용액을 분사하는 단계; 및상기 다공성 탄소재 전극에 과망간산염 입자를 건식 분사하는 단계; 중에 적어도 하나의 단계로 수행하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 과망간산염은 과망간산유기양이온염을 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 과망간산유기양이온염은 과망간산암모늄(ammonium permanganate), 과망간산알킬암모늄(akylammonium permanganate), 및 과망간산포스포늄(phosphonium permanganate) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 과망간산염 용액의 농도는 0
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제2항에 있어서, 상기 침지하는 단계에서,침지 시간은 1시간 이하인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 침지하는 단계 및 상기 분사하는 단계 이후에 수행되는,과망간산염 용액으로 젖은 다공성 탄소재 전극을 150℃ 이하에서 건조하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 담지하는 단계에서,열처리는 50~1,500℃에서 공기, 아르곤, 질소 또는 이산화탄소 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 담지하는 단계에서,상기 다공성 탄소재 전극의 표면에 담지된 망간산화물은 망간산화수가 +2~+4 이며, MnO, Mn3O4 및 MnO2 중에 적어도 하나를 포함하고, 10~10,000 nm의 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 담지하는 단계에서,상기 다공성 탄소재 전극의 표면에 수백 나노미터의 기공을 갖고, 표면적이 10 m3/g 이하이고, 다수의 관능기가 도입되고,상기 다수의 관능기는 산소관능기, 질소관능기 및 인관능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 탄소재 전극은 단품 또는 롤투롤(roll to roll) 방식으로 제공되는 것을 바나듐 레독스플로우전지용 전극의 제조 방법
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다공성 탄소재 전극에 과망산간염을 도포한 후 열처리하여 형성된 망간산화물을 상기 다공성 탄소재 전극의 표면에 담지한 바나듐 레독스플로우전지용 전극
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다공성 탄소재 전극에 과망산간염을 도포한 후 열처리하여 형성된 망간산화물을 상기 다공성 탄소재 전극의 표면에 담지한 전극을 포함하는 바나듐 레독스플로우전지
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제13항에 있어서,망간산화물이 담지된 전극을 적어도 하나를 포함하는 바나듐 레독스플로우전지
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다공성 탄소재 전극에 과망산간염을 도포한 후 열처리하여 형성된 망간산화물을 상기 다공성 탄소재 전극의 표면에 담지한 전극을 포함하는 망간계 이차전지
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