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AlxAgyYz의 화학식으로 표시되며, 상기 화학식에서 x, y 및 z는 원자비(atomic ratio)를 나타내고, 상기 원자비가 65
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제1항에 있어서,상기 알루미늄계 비정질 합금은 리본, 분말, 플레이크 또는 튜브의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 알루미늄계 비정질 합금
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제1항에 있어서,상기 알루미늄계 비정질 합금은 용융방사법(melt spinning), 흡입주조법(infiltration casting), 기체분무법(gas atomization), 이온조사법(ion irradiation), 기계적 합금법(mechanical alloying) 또는 스퍼터링법(sputtering)으로 제조되는 것을 특징으로 하는 알루미늄계 비정질 합금
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AlxAgyYz의 화학식으로 표시되며, 상기 화학식에서 x, y 및 z는 원자비(atomic ratio)를 나타내고, 상기 원자비가 65
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제4항에 있어서,상기 알루미늄계 비정질 합금은 리본, 분말, 플레이크 또는 튜브의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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6
제4항에 있어서,상기 알루미늄계 비정질 합금은 용융방사법(melt spinning), 흡입주조법(infiltration casting), 기체분무법(gas atomization), 이온조사법(ion irradiation), 기계적 합금법(mechanical alloying) 또는 스퍼터링법(sputtering)으로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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7
제4항에 있어서,상기 전자 소자는 디스플레이, 태양전지, 웨어러블 디바이스, 생화학 센서 또는 전자파 차폐 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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8
제7항에 있어서,상기 알루미늄계 비정질 합금은 디스플레이용 전극, 태양전지용 전극, 웨어러블 디바이스용 전극, 생화학 센서용 전극 또는 전자파 차폐 필름용 차폐층에 포함되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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