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타겟에 레이저 광을 조사하는 레이저 광원;조사된 레이저 광에 대한 산란광을 검출하는 광산란 검출기; 및검출된 산란광을 분석하여 상기 타겟의 기공 구조를 분석하는 분석기;를 포함하는 기공 구조 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 타겟은 셀의 제조에 사용되는 양극, 음극 및 다공성 분리막 중에 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 기공 구조 분석 장치
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제2항에 있어서,상기 레이저 광원 및 상기 광산란 검출기는 상기 타겟이 제조되거나 사용되는 제조라인 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 기공 구조 분석 장치
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다공성 분리막에 레이저 광을 조사하는 레이저 광원;조사된 레이저 광에 대한 산란광을 검출하는 광산란 검출기; 및검출된 산란광을 분석하여 상기 다공성 분리막의 기공 구조를 분석하는 분석기;를 포함하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제4항에 대해서, 상기 분석기는,상기 검출된 산란광으로부터 광산란 패턴을 획득하고, 상기 획득한 광산란 패턴에 대한 서로 직교하는 광산란 패턴 부분의 광 강도(indensity)를 산출하여 상기 다공성 분리막의 기공 구조를 분석하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제5항에 있어서,상기 서로 직교하는 광산란 패턴 부분은 MD(Machine Direction) 방향의 제1 광산란 패턴과, TD(Transverse Direction) 방향의 제2 광산란 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제6항에 있어서, 상기 분석기는,수학식1에 따른 브래그의 법칙(Bragg Law)으로 MD 및 TD 방향의 기공 간의 거리를 각각 산출하고, 산출된 기공 간의 거리에 기공도를 곱하여 MD 및 TD 방향의 기공 크기를 산출하는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제4항에 있어서,상기 레이저 광원은 350 nm 내지 2000 nm 파장의 레이저 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제4항에 있어서,상기 레이저 광원은 다공성 분리막의 입사면에 대해서 0
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제4항에 있어서,상기 레이저 광원 및 상기 광산란 검출기는 상기 다공성 분리막을 기준으로 상하로 설치되고,상기 광산란 검출기는 상기 조사된 레이저 광에 대한 상기 다공성 분리막을 통과한 상기 산란광을 검출하는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제4항에 있어서,상기 레이저 광원 및 상기 광산란 검출기는 상기 다공성 분리막을 기준으로 동일면 상에 설치되고,상기 광산란 검출기는 상기 조사된 레이저 광에 대한 상기 다공성 분리막에서 반사된 상기 산란광을 검출하는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제4항에 있어서,상기 레이저 광원 및 상기 광산란 검출기는 상기 다공성 분리막이 제조되거나 사용되는 제조라인 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제12항에 있어서,상기 레이저 광원 및 상기 광산란 검출기는 각각 상기 제조라인에서 상기 다공성 분리막이 진행하는 방향에 어긋나는 방향으로 복수 개가 서로 대응되게 설치되는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제4항에 있어서,상기 레이저 광원 및 상기 광산란 검출기는 정지 또는 일정 속도로 이동하면서 레이저 광 조사 및 산란광 검출을 수행하는 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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제4항에 있어서,상기 다공성 분리막은 일차전지, 이차전지 또는 커패시터에 사용되는 분리막인 것을 특징으로 하는 다공성 분리막의 기공 구조 분석 장치
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타겟이 제조되거나 사용되는 제조라인; 및상기 타겟으로 레이저 광을 조사하고, 조사한 레이저 광에 대한 광산란(light scattering)을 이용하여 상기 타겟의 기공 구조를 비파괴 방법으로 실시간 분석하는 기공 구조 분석 장치;를 포함하는 기공 구조 분석 시스템
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기공 구조 분석 장치가 타겟에 레이저 광을 조사하는 단계;상기 기공 구조 분석 장치가 조사한 레이저 광에 대한 산란광을 검출하는 단계; 및상기 기공 구조 분석 장치가 검출된 산란광을 분석하여 상기 타겟의 기공 구조를 분석하는 단계;를 포함하는 기공 구조 분석 방법
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