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(a) 제1 양이온 전구체, 제2 양이온 전구체 및 할라이드 전구체를 혼합한 후, 볼밀 공정을 수행하여 제1 혼합물을 제조하는 단계;(b) 제1 혼합물을 진공에 두어 암모니아를 제거하는 단계; (c) 암모니아가 제거된 제1 혼합물에 지방산을 첨가한 후, 볼밀 공정을 수행하여 제2 혼합물을 제조하는 단계; (d) 제2 혼합물에 탄화수소계 화합물을 첨가한 후, 볼밀 공정을 수행하여 제3 혼합물을 제조하는 단계; 및(e) 제3 혼합물을 원심분리하여 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 나노입자를 수득하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 제1 양이온 전구체는 탄산 포르마미디늄(formamidinium carbonate), 탄산 메틸암모늄(methylammonium carbonate), 탄산 세슘(cesium carbonate), 탄산 포타슘(potassium carbonate), 탄산 루비듐(rubidium carbonate), 아세트산 포르마미디늄(formamidinium acetate), 아세트산 메틸암모늄(methylammonium acetate), 아세트산 세슘(cesium acetate), 아세트산 포타슘(potassium acetate) 및 아세트산 루비듐(rubidium acetate) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 제2 양이온 전구체는 탄산 납(lead carbonate), 탄산 주석(tin carbonate), 탄산 구리(copper carbonate), 탄산 은(silver carbonate), 탄산 비스무트(bismuth carbonate), 탄산 인듐(indium carbonate), 아세트산 납(lead acetate), 아세트산 주석(tin acetate), 아세트산 구리(copper acetate), 아세트산 은(silver acetate), 아세트산 비스무트(bismuth acetate) 및 아세트산 인듐(indium acetate) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 할라이드 전구체는 아이오딘화 암모늄(ammonium iodide), 브로민화 암모늄(ammonium bromide), 염화 암모늄(ammonium chloride), 아이오딘화 알킬암모늄(alkylammonium iodide), 브로민화 알킬암모늄(alkylammonium iodideammonium bromide) 및 염화 알킬암모늄(alkylammonium iodideammonium chloride) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 단계 (c)에서, 상기 지방산은 제2 양이온 전구체 대비 3 내지 5배의 당량비를 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 단계 (e) 이후에, 상기 페로브스카이트 나노입자를 용매로 세척하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노입자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 용매는 아세트산 메틸(methyl acetate), 톨루엔(toluene), 에틸 아세테이트(ethyl acetate) 및 헥산(hexane) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노입자의 제조방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 제조된 페로브스카이트 나노입자
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