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애노드;상기 애노드와 대향되도록 구비되는 캐소드;상기 애노드 및 캐소드가 구비되는 공간을 형성하는 하우징;상기 캐소드를 냉각하도록 상기 캐소드의 상측에 구비되는 냉각자켓;상기 냉각자켓 상측에 형성되어 상기 냉각자켓에 냉각매체를 순환시키는 냉각배관 및 상기 캐소드에 고전압을 인가하는 전력인가배선이 배치되는 공간을 형성하며 대기압 상태를 유지하는 대기공간과, 상기 대기공간의 둘레에 상기 대기공간과는 기밀 구획되며, 상기 대기공간과 상기 하우징 사이에 위치되어, 상기 대기공간과는 기밀 구획되며, 진공분위기로 형성되며, 상기 대기공간과 상기 하우징 사이를 절연하도록 형성되는 진공공간을 기밀구획하는 기밀격벽;을 포함하는, 플라즈마 빔 방출장치
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제1항에 있어서,상기 냉각자켓은 전기 전도성의 금속 재질로 형성되며, 상기 전력인가배선은 상기 냉각자켓에 전기적으로 연결되어, 상기 냉각자켓을 통해 상기 캐소드로 전력을 공급하는, 플라즈마 빔 방출장치
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제1항에 있어서,상기 대기공간과 진공공간은 상기 냉각자켓에 용접되는 세라믹 판재에 의해 기밀 구획되는, 플라즈마 빔 방출장치
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제1항에 있어서,상기 하우징은,외측 둘레를 형성하는 케이싱;상기 케이싱과 상기 캐소드의 사이에 배치되는 절연재;를 포함하고,상기 절연재는 상기 케이싱과의 사이에 공간이 발생되지 않도록 상기 케이싱 내주면에 밀접하게 접촉되도록 배치되는, 플라즈마 빔 방출장치
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 플라즈마 빔 방출장치;상기 플라즈마 빔 방출장치에 의해 적층되는 시료가 위치되는 공간을 형성하며, 상기 플라즈마 빔 방출장치로부터 방출되는 플라즈마 빔이 입사되는 입사구가 형성된 챔버;상기 챔버 내에 적층되는 시료가 안착되는 스테이지;상기 스테이지 상에 적층제를 안내하는 노즐;을 포함하는 플라즈마 빔 적층장치
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제5항에 있어서,상기 노즐이 상기 적층제를 상기 스테이지 상에 안내하는 위치는 상기 입사구로부터 수평방향으로 이격된 위치인, 플라즈마 빔 적층장치
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제6항에 있어서,상기 플라즈마 빔의 진행경로상에 위치되어, 상기 플라즈마 빔 방출장치에서 상기 챔버로 방출되는 플라즈마 빔을 편향시키는 편향기를 더 포함하는, 플라즈마 빔 적층장치
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제5항에 있어서,상기 노즐은 끝단으로 갈수록 좁아지도록 첨단형태로 형성되는, 플라즈마 빔 적층장치
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제5항에 있어서,상기 노즐은 틸팅 가능하게 구비되는, 플라즈마 빔 적층장치
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제5항 내지 제9항 중 어느 한 항의 플라즈마 빔 적층장치를 제어하는 플라즈마 빔 적층장치의 제어방법에 있어서,적층제가 플라즈마 빔 적층장치의 스테이지에 일정간격 이격되어 위치되는 시료 위치단계;플라즈마 빔이 방출되어 상기 적층제를 용용된 방울 형태인 멜팅풀 형태로 용융하는 멜팅풀 생성단계;플라즈마 빔의 방출이 지속되면서, 상기 스테이지가 생성된 멜팅풀을 향하여 접근되는 접근단계;플라즈마 빔의 방출이 지속되면서, 생성된 멜팅풀을 스테이지 또는 스테이지에 적층이 이루어진 적층체에 접촉시켜 적층시키는 적층단계;를 포함하는, 플라즈마 빔 적층장치의 제어방법
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제10항에 있어서,상기 멜팅풀 생성단계, 상기 접근단계 및 상기 적층단계에서, 상기 플라즈마 빔은 스테이지 또는 스테이지상에 적층된 적층체 또한 가열하는, 플라즈마 빔 적층장치의 제어방법
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