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산화마그네슘 기판 상에 형성된 비정질의 실리콘계 물질층을 형성하는 제1 단계;상기 실리콘계 물질층 상에 캡핑층을 형성하는 제2 단계; 및상기 캡핑층에 라인 빔 형태의 레이저를 조사하여 실리콘계 물질을 재결정하는 제3 단계;를 포함하고,상기 산화마그네슘 기판은 단결정 산화마그네슘을 포함하고,상기 라인 빔 형태의 레이저는 결정화를 위한 임계파워 이상, 융제(ablation)가 일어나지 않는 파워 이하로 스캐닝한 조건으로 조사하는 것을 특징으로 하는, 실리콘계 물질의 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘계 물질층은 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs) 및 비소화인듐(InAs)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘계 물질의 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서,제1 단계는 산화마그네슘 기판 상에 30 nm 이상의 두께로 비정질의 실리콘계 물질을 증착하여 실리콘계 물질층을 형성하는 것을 상기 비정질의 실리콘계 물질의 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서,상기 캡핑층은 비정질 이산화규소(SiO2)를 포함하는 결정 실리콘계 물질의 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서,상기 제3 단계는 레이저를 조사하는 경우, 산화마그네슘 기판으로부터 결정화가 시작되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 물질의 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 단계는 비정질의 실리콘계 물질층을 형성하기 전에 산화마그네슘 기판을 300~800℃ 온도에서 30분 내지 2시간 동안 어닐링하는 과정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 물질의 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서,상기 제3 단계 이후에 시각 공정을 통해 캡핑층을 제거하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 물질의 단결정 성장방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 실리콘계 물질의 단결정 성장방법으로 제조된 실리콘계 물질을 포함하는 활성층
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘계 물질의 결정 경계 기울기는 15° 이하인 것을 특징으로 하는 활성층
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