| 1 |
1
(a) 구리 박막을 하드 마스크로 패터닝하고 식각하여 마스킹하는 단계;(b) 아세틸아세톤(CH3COCH2COCH3) 및 불활성 가스를 포함하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 (a) 단계에서 마스킹된 하드마스크를 이용하여 구리 박막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리 박막의 식각방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 He, Ne, Ar 및 N2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 하드 마스크는 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), TiO2, Ti, TiN, Ta, W 또는 비정질 카본(amorphous carbon) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서의 상기 아세틸아세톤은 전체 혼합가스에 대하여 50 내지 80 vol%의 범위인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
|
| 5 |
5
제1항 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 0
|
| 6 |
6
제1항 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 유도결합플라즈마 반응성 이온식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온식각법, 자기증강반응성 이온식각법, 반응성 이온 식각법, 원자층 식각법 (atomic layer etching) 및 펄스 모듈레이트된 (pulse-modulated) 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각법으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 구리박막의 식각방법
|
| 7 |
7
제1항 있어서, 상기 하드마스크에 대한 구리 박막의 식각선택도는 0
|
| 8 |
8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조되며, 75˚ 이상의 식각경사를 가지는 구리박막
|
