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절연성 고분자 및 이온성 액체를 포함하는 이오노젤(ionogel)을 게이트 유전체로 포함하고,상기 이오노젤은 2종 이상의 음 이온 또는 2종 이상의 양 이온을 0:100 내지 100:0의 몰비로 포함하며, 상기 몰비에 따라 문턱전압이 조절되는, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 이오노젤은 반도체층상에 형성되고,상기 2종 이상의 음 이온 또는 2종 이상의 양 이온은 상기 반도체층과 서로 다른 친화성을 나타내는, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 이오노젤은 절연성 고분자 및 이온성 액체를 1:1 내지 1:10의 중량비로 포함하는, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체는 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트(FAP), 테트라플루오로보레이트(BF4), 비스(플루오로메탄설포닐)이미드(FSI), 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드(TFSI), 비스(펜타플루오로에틸설포닐)이미드(BETI), 헥사플루오로포스페이트(PF6), 트리플레이트(OTf) 및 트리플루오로아세테이트(CF3CO2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 2종 이상의 음 이온을 포함하는, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸리움(EMI), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움(BMI), N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄(DEME), N-메틸-N-프로필피롤리디늄(P13), N-부틸-N-메틸피롤리디늄(P14), 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨(C2dmim), 2,3-디메틸-1-프로필이미다졸륨(C3dmim), 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨(C4dmim), N-메틸-N-프로필 피페리디늄(PP13), N-부틸-N-메틸피페리디늄(PP14), 트리에틸펜틸포스포늄(P2225), 트리에틸옥틸포스포늄(P2228), 테트라에틸암모늄(TEA) 및 트리에틸메틸암모늄(TEMA), 스피로-(1,1')-비피롤리디늄(SBP)로 이루어진 군으로부터 선택되는 2종 이상의 양 이온을 포함하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 절연성 고분자는 폴리 비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 폴리비닐 플루오라이드 (PVF), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 및 폴리스티렌(PS)로 이루어진 군으로부터 선택되는 호모 폴리머 또는 이를 포함하는 공중합체인, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 폴리(2-헥실티오펜), 폴리(3,3’’’-디도데실쿼터티오펜)(PQT-12), 폴리(9,9’-다이옥틸 플로오렌-코-비티오펜)(F8T2) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는, 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 반도체층은 P형 반도체를 포함하고,상기 이온성 액체는 2종 이상의 음 이온을 포함하는, 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서,상기 이온성 액체는 FAP 및 BF4를 포함하고,상기 FAP 및 BF4의 몰비에 따라 문턱전압이 -0
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제1항의 박막 트랜지스터; 및상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 인버터 저항;을 포함하고,상기 박막 트랜지스터의 게이트 유전체로서 포함된 이오노젤(ionogel)에 포함되는 2종 이상의 음 이온 또는 2종 이상의 양 이온의 몰비에 따라 스위칭 전압이 조절되는, 인버터
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제1항의 박막 트랜지스터의 문턱전압 조절방법으로,상기 박막 트랜지스터의 게이트 유전체로서 포함된 이오노젤(ionogel)에 포함되는 2종 이상의 음 이온 또는 양 이온의 몰비를 조절하여 트랜지스터의 문턱전압을 조절하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터의 문턱전압 조절방법
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제10항의 인버터의 스위칭 전압 조절방법으로,상기 인버터의 박막 트랜지스터의 게이트 유전체로서 포함된 이오노젤(ionogel)에 포함되는 2종 이상의 음 이온 또는 양 이온의 몰비를 조절하여 인버터의 스위칭 전압을 조절하는 단계;를 포함하는, 인버터의 스위칭 전압 조절방법
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