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액정 고분자층; 상기 액정 고분자층 상의 광열 변환 유연 전극층; 및상기 광열 변환 유연 전극층 상의 전해질층;을 포함하고,상기 액정 고분자층과 광열 변환 유연 전극층은 π 전자 상호작용(π-π stacking interaction)에 의해 결합된 것인 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 1항에 있어서,상기 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터는 열 또는 광 조사시 형상이 변형되는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 1항에 있어서,상기 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터는 상기 액정 고분자층의 액정(네마틱 액정의 장축)과 형상변형 플렉서블 슈퍼 커패시터의 주축 사이의 오프셋 각도에 따라 형상의 변형 유형이 달라지는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 1항에 있어서,상기 광열 변환 유연 전극층은 패턴화된 것인 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 1항에 있어서,상기 광열 변환 유연 전극층은 전도성 고분자를 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 5항에 있어서,상기 광열 변환 유연 전극층은 탄소체를 더 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 6항에 있어서,상기 광열 변환 유연 전극층은 폴리티오펜계 고분자 및 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 7항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 상기 폴리티오펜계 고분자 100 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부로 포함되는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 전해질층은 이온성 액체가 담지된 겔 고분자 전해질인 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 10항에 있어서,상기 겔 고분자 전해질은 가교 고분자 네트워크를 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터
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제 1항에 있어서,상기 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터는 1 mV/s의 스캔속도 조건에서 면적 정전용량이 0
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(a) 기판 상에 액정 고분자층을 형성하는 단계;(b) 상기 액정 고분자층 상에 전도성 잉크를 도포 및 건조하여 광열 변환 유연 전극층을 형성하는 단계;(c) 상기 광열 변환 유연 전극층 상에 전해질 잉크를 도포 및 경화하여 전해질층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 전해질층 상에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 (b) 단계에서상기 도포는 전도성 잉크를 스프레이 프린팅하는 것인 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 액정 고분자층 상에 패턴 마스크를 이용하여 전도성 잉크를 도포하고, 이를 건조하여 패턴화된 광열 변환 유연 전극층을 형성하는 것인 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 (b) 단계 이후,상기 광열 변환 유연 전극층을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 전도성 잉크는 전도성 고분자, 탄소체 및 용매를 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 용매는 물, 알코올 및 극성 비양성자성 용매를 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 전도성 잉크 총 중량에 대해 전도성 고분자 및 탄소체의 합이 0
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제 13항에 있어서,상기 전해질 잉크는 다관능성 단량체, 광개시제 및 이온성 액체를 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 전해질 잉크는 다관능성 단량체 및 이온성 액체를 1 : 1 내지 10의 중량비로 포함하는 형상변형 플렉시블 슈퍼 커패시터의 제조방법
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