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나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 타이타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W), 몰리브데넘(Mo), 크로뮴(Cr), 바나듐(V) 및 레늄(Re)을 포함하는 군에서 선택된 4 내지 10 종의 금속을 혼합한 후 밀링(milling)하여 혼합 금속 분말을 제조하는 제1 단계; 및상기 제1 단계에서 제조된 혼합 금속 분말을 소결하여 하기 화학식 Ⅰ에 따른 합금을 제조하는 제2 단계; 를 포함하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법:(M1)x1(M2)x2(M3)x3
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제1항에 있어서,상기 제1 단계의 금속은 나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 타이타늄(Ti), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)을 포함하고, 상기 제2 단계에서 제조된 합금은 하기 화학식 Ⅱ을 가지는 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법:(Nb)y1(Ta)y2(Ti)y3(Hf)y4(Zr)y5 (Ⅱ)여기서,y1 내지 y5는 1 이상의 정수로써, y1 내지 y5의 총합에 대하여 5 내지 35 %의 값을 가지는 정수이다
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제2항에 있어서,상기 y1은 2이고,상기 y2는 1이며,상기 y3은 1이고,상기 y4는 1이며,상기 y5는 1인 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 단계의 밀링은 볼 밀링(ball milling)으로 진행되는 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 볼 밀링은 200 내지 600 RPM에서 9 내지 15 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 볼 밀링은 아르곤 가스 분위기 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계의 소결은 상기 혼합 금속 분말을 몰드(mold) 내에 배치한 후, 가압 및 가열하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 몰드는 카본 몰드를 포함하는 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 가압 과정은 5 내지 500 MPa 로 가압하고,상기 가열 과정은 500 내지 1300 ℃로 가열하며,가압 및 가열되는 시간은 30분 내지 2시간인 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법으로 제조된,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체
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제10항에 있어서,상기 벌크형 고엔트로피 합금 초전도체는 원판형 또는 원통 형상이고, 3 내지 50 mm의 지름 및 1 내지 30 mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는,벌크형 고엔트로피 합금 초전도체
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제1항 및 제4항 내지 제9항에 따른 벌크형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법으로 제조된 벌크형 고엔트로피 합금 초전도체를 타겟으로 준비하는 제1 단계; 및 상기 타겟을 증발시켜 기판에 증착하여 기판 상에 박막형 합금을 형성하는 제2 단계; 를 포함하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 타겟은 나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 타이타늄(Ti), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)을 포함하고, 하기 화학식 Ⅲ을 가지는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법:(Nb)z1(Ta)z2(Ti)z3(Hf)z4(Zr)z5 (Ⅲ)여기서,z1 내지 z5는 1 이상의 정수로써, z1 내지 z5의 총합에 대하여 5 내지 35 %의 값을 가지는 정수이다
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제13항에 있어서,상기 z1은 2이고,상기 z2는 1이며,상기 z3은 1이고,상기 z4는 1이며,상기 z5는 1인 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 타겟은 레이저에 의해 증발되는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 레이저는 엑시머 펄스레이저인 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 엑시머 펄스레이저는 193 내지 532 nm의 파장의 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 타겟은 회전하는 상태에서 증발되는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3) 단결정 혹은 하스텔로이(Hastelloy)를 포함하는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 270 내지 620 ℃로 가열되는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제20항에 있어서,상기 기판은 할로겐 램프로 가열되는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 제2 단계는 10-7 내지 10-5 Torr의 진공 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 박막형 합금의 두께가 100 내지 700 nm인 것을 특징으로 하는,박막형 고엔트로피 합금 초전도체 제조 방법
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