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전구체화합물, 및 촉매금속층과 상기 촉매금속층과 인접하여 위치하는 전구체확산층을 포함하는 합성기판을 각각 가열실 및 반응실에 배치하는 배치단계; 및상기 전구체화합물을 상기 반응실로 공급하여 상기 합성기판의 촉매금속층 및 전구체확산층의 경계에서 입방정계 질화붕소 박막을 합성하는 합성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매금속층은, Cu, Ni, 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전구체확산층은, 하기 화학식1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법:[화학식1]MXn상기 M은 Cu, Ni, 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 X는 N, O, 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 n은 0003c#n≤5의 실수인 것이다
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제1항에 있어서,상기 전구체화합물은, Melamine Diborate, Melamine, Ammonia, Boric acid, Ammonia Borane, Borazine, Urea, NaBH4, 및 BH3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 합성단계는,상기 가열실을 가열하여 상기 전구체화합물을 기체 상태로 만드는 가열단계; 및상기 기체 상태의 전구체화합물이 상기 반응실로 이동하여, 상기 반응실로 이동한 상태가 변한 전구체화합물이 상기 촉매금속층 및 전구체확산층의 경계에서 질화붕소 박막으로 성장하는 성장단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 가열단계는 650℃ 이상 1,000℃ 이하의 온도로 가열실을 가열하는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 가열단계는, 가열실의 압력이 3기압 이상인 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 성장단계는, 입방정계 질화붕소 박막이 2nm 이상 1um 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막 제조방법
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제1항의 제조방법에 의해 제조된 입방정계 질화붕소 박막
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입방정계 질화붕소 박막;상기 입방정계 질화붕소 박막에 인접하여 위치하는 제1금속층; 및상기 입방정계 질화붕소 박막에 인접하되 상기 제1금속층의 반대측에 위치하는 제2금속층;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구조체
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제10항에 있어서,상기 제1금속층은 Cu, Ni, 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구조체
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제10항에 있어서,상기 제2금속층은 Cu, Ni, 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구조체
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제10항에 있어서,상기 입방정계 질화붕소 박막은 2nm 이상 1um 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는, 구조체
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