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1
유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디에 배치되며 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 유전체층은 일반식 ABO3로 표시되는 페로브스카이트 구조를 주상으로 하며, Dy가 고용된 영역을 포함하고, 상기 Dy가 고용된 영역에서 STEM-EDS를 이용하여 측정한 상기 페로브스카이트 구조의 A-site에 고용된 Dy의 X-ray count를 AD, 상기 페로브스카이트 구조의 B-site에 고용된 Dy의 X-ray count를 BD라 할 때, AD/BD의 평균값은 1
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2
제1항에 있어서, 상기 ABO3는 BaTiO3인 세라믹 전자 부품
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3
제1항에 있어서, 상기 유전체층은 복수의 결정립 및 인접한 결정립 사이에 배치된 결정립계를 포함하며, 상기 Dy가 고용된 영역은 상기 결정립 및 결정립계 중 어느 하나 이상에 배치되는 세라믹 전자 부품
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4
제3항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 결정립 전체에 Dy가 고용된 영역을 포함하는 구조를 가지는 세라믹 전자 부품
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5
제4항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 상기 결정립 전체에 Dy가 고용된 영역을 포함하는 구조를 가지는 결정립의 개수 비율은 50% 이상인 세라믹 전자 부품
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6
제3항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 코어-쉘 구조를 가지고, 상기 코어-쉘 구조의 쉘에 상기 Dy가 고용된 영역이 포함되는 세라믹 전자 부품
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| 7 |
7
제3항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 결정립 전체에 상기 Dy가 고용된 영역을 포함하는 구조를 가지며, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 코어-쉘 구조를 가지고, 상기 코어-쉘 구조의 쉘에 상기 Dy가 고용된 영역이 포함되는 세라믹 전자 부품
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8
제1항에 있어서, 상기 유전체층의 평균 두께는 0
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9
제1항에 있어서, 상기 내부 전극의 평균 두께는 0
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10
제1항에 있어서, 상기 유전체층은 공침법으로 합성한 BaTiO3 분말을 소결하여 형성된 것인 세라믹 전자 부품
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11
제2항에 있어서, 상기 Dy의 함량은 상기 BaTiO3 100mol% 대비 0
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12
제1항에 있어서, 상기 유전체층은 n형 반도체화된 것인 세라믹 전자 부품
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13
제1항에 있어서, 상기 Dy가 고용된 영역에서 상기 페로브스카이트 구조의 A-site에 고용된 Dy의 원자 개수를 AR, 상기 B-site에 고용된 Dy의 원자 개수를 BR이라 할 때, AR/BR은 2
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14
유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디에 배치되며 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 유전체층은 일반식 ABO3로 표시되는 페로브스카이트 구조를 주상으로 하며, Dy가 고용된 영역을 포함하고, 상기 Dy가 고용된 영역에서 STEM-EDS를 이용하여 측정한 상기 페로브스카이트 구조의 A-site에 고용된 Dy의 X-ray count를 AD, 상기 페로브스카이트 구조의 B-site에 고용된 Dy의 X-ray count를 BD라 할 때, AD/BD의 평균값은 1
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15
제14항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 상기 결정립 전체에 Dy가 고용된 영역을 포함하는 구조를 가지는 결정립의 개수 비율은 50% 이상인 세라믹 전자 부품
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16
제15항에 있어서, 상기 ABO3는 BaTiO3인 세라믹 전자 부품
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17
제16항에 있어서, 상기 Dy의 함량은 상기 BaTiO3 100mol% 대비 0
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18
제14항에 있어서, 상기 Dy가 고용된 영역에서 상기 페로브스카이트 구조의 A-site에 고용된 Dy의 원자 개수를 AR, 상기 B-site에 고용된 Dy의 원자 개수를 BR이라 할 때, AR/BR은 2
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19
유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디에 배치되며 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 유전체층은 일반식 ABO3로 표시되는 페로브스카이트 구조를 주상으로 하며, Dy가 고용된 영역을 포함하고, 상기 Dy가 고용된 영역에서 상기 페로브스카이트 구조의 A-site에 고용된 Dy의 원자 개수를 AR, 상기 페로브스카이트 구조의 B-site에 고용된 Dy의 원자 개수를 BR이라 할 때, AR/BR은 2
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20
제19항에 있어서, 상기 AR/BR은 2
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21
제19항에 있어서, 상기 ABO3는 BaTiO3인 세라믹 전자 부품
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22
제19항에 있어서, 상기 유전체층은 복수의 결정립 및 인접한 결정립 사이에 배치된 결정립계를 포함하며, 상기 Dy가 고용된 영역은 상기 결정립 및 결정립계 중 어느 하나 이상에 배치되는 세라믹 전자 부품
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23
제22항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 결정립 전체에 Dy가 고용된 영역을 포함하는 구조를 가지는 세라믹 전자 부품
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24
제23항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 상기 결정립 전체에 Dy가 고용된 영역을 포함하는 구조를 가지는 결정립의 개수 비율은 50% 이상인 세라믹 전자 부품
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25
제22항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 코어-쉘 구조를 가지고, 상기 코어-쉘 구조의 쉘에 상기 Dy가 고용된 영역이 포함되는 세라믹 전자 부품
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26
제22항에 있어서, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 결정립 전체에 상기 Dy가 고용된 영역을 포함하는 구조를 가지며, 상기 복수의 결정립 중 적어도 하나 이상은 코어-쉘 구조를 가지고, 상기 코어-쉘 구조의 쉘에 상기 Dy가 고용된 영역이 포함되는 세라믹 전자 부품
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27
제19항에 있어서, 상기 유전체층의 평균 두께는 0
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28
제19항에 있어서, 상기 내부 전극의 평균 두께는 0
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29
제19항에 있어서, 상기 유전체층은 공침법으로 합성한 BaTiO3 분말을 소결하여 형성된 것인 세라믹 전자 부품
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30
제21항에 있어서, 상기 Dy의 함량은 상기 BaTiO3 100mol% 대비 0
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31
제1항에 있어서, 상기 유전체층은 n형 반도체화된 것인 세라믹 전자 부품
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