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극성 용매에 용해된 무기금속할로겐화물과 +1가 유기이온 또는 무기이온 할로겐화물염의 용액을 코팅하고, 상기 극성 용매와 혼화성이 있는 비극성 비용매를 적하함을 포함하는, 어닐링 단계가 없는 경우에도, 페로브스카이트 상이 형성되는, 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 극성 용매는 인산트리메틸(TMP)를 포함하는 용매인, 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 비용매는 벤젠, 사염화탄소(Carbon tetrachloride), 클로로포름, 사이클로헥세인(Cyclohexane), 사이클로펜테인(Cyclopentane), 다이클로로에테인(Dichloroethane), 다이클로로메테인(Dichloromethane), 다이옥세인(Dioxane), 에틸 아세테이트(Ethyl acetate), 테트라클로로에테인(Tetrachloroethane), 테트라하이드로푸란(Tetrahydrofuran), 톨루엔, 트리클로로에테인(Trichloroethane), 및 다이에틸 에터(diethyl ether) 중 어느 하나 이상인, 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막은 페로브스카이트의 연속상 박막인,유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제4항에 있어서,어닐링 단계가 없는 경우에도, 중간상(intermediate phase) 형성 없이 페로브스카이트 상이 형성됨을 특징으로 하는,유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 용매는 디메틸포름아마이드(DMF)를 추가로 더 포함하고,상기 박막은 증가된 PCE(power conversion efficiency) 및 전류-전압 곡선에서 더 작은 히스테리시스(hysteresis)를 제공하는,유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 무기금속할로겐화물은, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Cu, Mn, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd 및 Yb로 선택된 금속의 할로겐화물염인,유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 +1가 유기이온 또는 무기이온 할로겐화물염의 무기 이온은 Li, Na, K, Rb 및 Cs 중 어느 하나 일 수 있고, 상기 +1가 유기이온 또는 무기이온 할로겐화물염은 일반식 RNH3B 또는 RNHNH2B의 화합물이고, R는 포화 알킬기, 불포화 알킬기, 또는 아릴기이고, B는, Cl, F, Br또는 I로부터 선택되는,유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 무기금속할로겐화물은 PbI2이고,상기 유기아민할로겐화물염은 MAI(methylammonium iodide)인,유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막 제조 방법
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제1항의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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제10항에 있어서,상기 극성 용매는 인산트리메틸(TMP)를 포함하는 용매이고,상기 비용매는 다이에틸 에터(diethyl ether)이며,상기 무기금속할로겐화물은 PbI2이고,상기 유기아민할로겐화물염은 MAI(methylammonium iodide)이며,상기 태양전지는, DMSO, DMF 또는 이의 조합의 용매에 의해 제조된 경우에 비해, 더 높은 평균 전력 변환 효율 및 전류-전압 곡선에서 더 작은 히스테리시스를 제공하는,페로브스카이트 태양전지
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제1항의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막을 포함하는, 광센서
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제1항의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막을 포함하는, LED
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제1항의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막을 포함하는, 멤리스터 소자
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