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오목부 및 볼록부를 포함하는 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 상기 패턴을 덮도록 마스크층을 형성하는 단계; 상기 패턴의 볼록부 중 일부가 외부에 노출되도록 상기 마스크층이 형성된 상기 기판을 폴리싱(polishing)하는 단계; 상기 마스크층 및 노출된 상기 볼록부를 덮도록 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 노출된 상기 볼록부와 상기 버퍼층이 중첩되는 영역 상에 나노 로드(nano rod)를 성장시키는 단계를 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제1 항에 있어서, 상기 마스크층이 형성된 상기 기판을 폴리싱하는 단계는, 상기 볼록부의 일부와 상기 마스크층의 일부가 함께 제거되어, 상기 패턴의 볼록부 중 일부가 외부에 노출되는 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제1 항에 있어서, 노출된 상기 볼록부는 상부면은 평탄화된 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제3 항에 있어서, 상기 나노 로드는, 노출된 상기 볼록부 상부면의 법선 방향으로 연장되도록 성장되는 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판을 폴리싱하는 시간이 증가함에 따라, 상기 볼록부가 외부에 노출되는 영역의 면적이 증가하는 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제1 항에 있어서, 상기 나노 로드는, 갈륨(Ga)을 포함하는 제1 전구체와 질소(N)를 포함하는 제2 전구체가 주기적으로 공급 및 차단되는 펄스드 모드 MOCVD(pulsed mode Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법을 통해 에피 성장된 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제5 항에 있어서, 상기 제1 전구체는 TMGa(Trimethyl Gallium)을 포함하고, 상기 제2 전구체는 암모니아(NH3)를 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제1 항에 있어서, 상기 마스크층은, 질화 규소(SiNx), 산화 규소(SiO2), 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나를 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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제1 항에 있어서, 상기 버퍼층은, 질화 알루미늄(AlN), 저온 질화 갈륨(Low temperature GaN, LT-GaN), 및 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 중 어느 하나를 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법
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오목부 및 볼록부를 포함하는 패턴이 형성되되, 상기 볼록부의 상부면이 평탄화된 기판; 상기 볼록부의 평탄화된 영역인 제1 영역이 노출되도록, 상기 제1 영역을 제외한 상기 볼록부의 제2 영역 및 상기 오목부를 덮는 마스크층; 상기 볼록부의 상기 제1 영역 및 상기 마스크층을 덮는 버퍼층; 상기 볼록부의 상기 제1 영역 및 상기 버퍼층이 중첩되는 영역 상에, 상기 볼록부의 상부면의 법선 방향으로 연장되도록 성장된 질화 갈륨(GaN) 나노 로드(nano rod)를 포함하는 반도체 구조물
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제10 항에 있어서, 상기 기판은 PSS(pattern sapphire substrate)를 포함하고, 상기 볼록부의 상기 제1 영역은 사파이어의 C-평면(C-plane)을 포함하는 반도체 구조물
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제10 항에 있어서,상기 버퍼층은, 상기 기판과 상기 나노 로드 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)을 감소시키는 것을 포함하는 반도체 구조물
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