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금속 산화물 전구체, 연료, 산용액 및 연결체를 포함하는 금속 산화물 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 산화물 전구체 용액을 산소와 반응시켜 상기 연결체와 결합된 금속 산화물 중간체를 포함하는 금속 산화물 반응 용액을 제조하는 단계; 및상기 금속 산화물 반응 용액에 기판을 침지시켜 금속 산화물 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 전구체 용액을 산소와 반응시켜 상기 연결체와 결합된 금속 산화물 중간체를 포함하는 금속 산화물 반응 용액을 제조하는 단계에서,상기 금속 산화물 전구체 표면에 상기 연결체가 선택적으로 결합되어 상기 금속 산화물 중간체가 형성되는 것을 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 중간체는 결정핵이 생성(nucleation)된 금속 산화물 전구체인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 반응 용액의 농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 반응 용액의 pH는 0 내지 5인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 전구체 용액을 산소와 반응시켜 연결체와 결합된 금속 산화물 중간체를 포함하는 금속 산화물 반응 용액을 제조하는 단계의 반응 시간은 1시간 내지 12시간인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 전구체 용액을 산소와 반응시켜 연결체와 결합된 금속 산화물 중간체를 포함하는 금속 산화물 반응 용액을 제조하는 단계의 반응 온도는 10℃ 내지 30℃인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체는 금속 할로겐화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 연결체는 티올(thiol)기를 작용기로 포함하는 카르복시산을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 연료는 아세틸아세톤, CF3COCH2COCF3, CH3COCHFCOCH3, CH3COCH2C(=NH)CF3, CH3C(=NH)CHFC(=NH)CH3, CH3COCH2C(=NCH3)CF3, CH3C(=NCH3)CHFC(=NCH3)CH3, CH3C(=NH)CHFC(=NCH3)CH3, Ph2POCH2COCH3, 우레아, 싸이오우레아, N-메틸우레아, 시트르산, 아스코르브산, 스테아르산, 나이트로메테인, 하이드라진, 카보하이드라자이드, 옥살릴 다이하이드라자이드, 말론산 다이하이드라자이드, 테트라 폼알 트리스 아진, 헥사메틸렌테트라민 및 말론산 무수물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산용액은 염산, 질산 및 황산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 불소 함유 산화주석(FTO: fluorine doped tin oxide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si)을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 표면에 제1 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 따른 금속 산화물 박막의 제조방법으로 제조된 금속 산화물 박막
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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극이 형성된 기판 상에 제1 전하 수송층을 형성하는 단계;상기 제1 전하 수송층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 제2 전하 수송층을 형성하는 단계; 및상기 제2 전하 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 전하 수송층은 제1항에 따른 금속 산화물 박막의 제조방법을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제1 전하 수송층 및 상기 제2 전하 수송층은 전자 수송층 또는 정공 수송층인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
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제16항에 따른 페로브스카이트 광전소자의 제조방법으로 제조된 페로브스카이트 광전소자
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