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발광 영역 및 구동 영역을 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성되는 금속 반사막;상기 금속 반사막 상부에 형성되는 버퍼층;상기 발광 영역에 배치되는 발광소자;상기 발광소자 상에 형성되는 보호층;상기 구동 영역에 배치되고, 상기 발광소자를 구동하는 박막트랜지스터; 및상기 발광소자의 캐소드 전극과 상기 금속 반사막을 전기적으로 연결하는 오믹 컨택 메탈을 포함하고,상기 발광소자 및 상기 박막트랜지스터는 상기 기판 상에 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제1항에 있어서,상기 박막트랜지스터의 활성층은 상기 발광소자의 발광층보다 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제2항에 있어서,상기 박막트랜지스터의 소스 박막은 상기 발광소자로부터 방출되는 광이 상기 박막트랜지스터의 상기 활성층으로 유입되는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제2항에 있어서,상기 박막트랜지스터의 상기 활성층은 비정질 실리콘, 나노 결정질 실리콘, 마이크로 결정질 실리콘, 폴리 결정질 실리콘, 및 InGaZnO 계열 물질 중 적어도 하나를 포함하는 산화물반도체인 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제2항에 있어서,기판 상에 금속 반사막을 형성하는 단계;상기 금속 반사막 상부에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 기판 상부의 발광 영역에 발광소자를 형성하는 단계;상기 발광소자의 상부에 보호층을 형성하는 단계;상기 기판 상부의 구동 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 및오믹 컨택 메탈을 이용하여 상기 발광소자의 캐소드 전극과 상기 금속 반사막을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제1항에 있어서,상기 발광소자 및 상기 박막트랜지스터는 발광소자-박막트랜지스터 통합 기판을 이용하여 일괄 제조되고,상기 발광소자-박막트랜지스터 통합 기판은,상기 기판, 상기 금속 반사막, 상기 버퍼층, 발광소자층, 상기 보호층, 및 박막트랜지스터층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제6항에 있어서,상기 발광소자-박막트랜지스터 통합 기판을 제조하는 단계;상기 발광소자층의 노출을 위해 상기 박막트랜지스터층을 에칭하는 단계;광 방지막을 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계;상기 발광소자층 상부에 TCO를 형성하는 단계;상기 TCO와 상기 박막트랜지스터 사이에 절연 보호막을 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터의 소스 박막 및 드레인 박막을 형성하는 단계; 및오믹 컨택 메탈을 이용하여 상기 발광소자의 캐소드 전극과 상기 금속 반사막을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제1항에 있어서,상기 발광소자 및 상기 박막트랜지스터는 발광소자-박막트랜지스터 통합 기판을 이용하여 일괄 제조되고,상기 발광소자-박막트랜지스터 통합 기판은,상기 기판, 상기 금속 반사막, 상기 버퍼층, 발광소자층, TCO, 상기 보호층, 및 박막트랜지스터층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제1항에 있어서,상기 금속 반사막은,Ag 및 Al중 적어도 하나를 포함하고, 상기 발광소자로부터 발생하는 광을 반사함으로써 상기 발광소자의 광추출 효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제1항에 있어서,상기 발광소자의 반도체 박막은 물리적 증착 방식 및 화학적 증착 방식에 추가에너지가 공급됨으로써 저온 성장되고,상기 기판은 유리 기판, 스테인리스 스틸 기판, 및 고분자 기판 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제10항에 있어서,상기 물리적 증착 방식은 스퍼터링 방식, e-beam 증착 방식, 열증착 방식 중 적어도 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제10항에 있어서,상기 추가에너지는 이온빔, 전자빔, 플라즈마, 자외선, 레이저, LED광 중 적어도 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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발광 영역 및 구동 영역을 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성되는 보호층;상기 구동 영역에 배치되고, 상기 발광소자를 구동하는 박막트랜지스터;상기 박막트랜지스터 상에 형성되는 금속 반사막;상기 발광 영역에 배치되는 발광소자; 및상기 발광소자 상에 형성되는 TCO를 포함하고,상기 박막트랜지스터 및 상기 발광소자는 상기 기판 상에 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제13항에 있어서,상기 발광소자 및 상기 박막트랜지스터는 박막트랜지스터-발광소자 통합 기판을 이용하여 일괄 제조되고,상기 박막트랜지스터-발광소자 통합 기판은,상기 기판, 상기 보호층, 박막트랜지스터층, 상기 금속 반사막, 발광소자층, 및 상기 TCO가 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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제14항에 있어서,상기 박막트랜지스터- 발광소자 통합 기판을 제조하는 단계;상기 박막트랜지스터층의 노출을 위해 상기 발광소자층을 에칭하는 단계;상기 금속 반사막을 에칭하는 단계;상기 TCO 및 상기 발광소자 상에 절연 보호막을 형성하는 단계;상기 TCO의 상부를 노출하는 단계;GI를 에칭하는 단계;금속 박막을 증착하는 단계; 및상기 박막트랜지스터의 게이트, 소스 박막, 및 드레인 박막을 형성하는 단계를 포함하는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는,발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조
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