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하기 [화학식 1]로 표시되는 것을 반복단위로 하는 제1 다공성 유기 고분자의 술폰기의 양성자가 아연 이온으로 치환된 것을 특징으로 하는 제2 다공성 유기 고분자;를 포함하는 전도체:[화학식 1]상기 [화학식 1]에서,X는 수소 또는 하기 [구조식 1] 중에서 선택되는 어느 하나이고,[구조식 1], 상기 R은 수소 및 탄소수 1 내지 30의 알킬기 중에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 Y는 수소 또는 술폰기(SO3H)이며,n은 1 또는 2이다
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제1항에 있어서,상기 술폰기의 양성자가 이온 교환을 통해 아연 이온으로 치환된 것을 특징으로 하는 전도체
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제1항에 있어서,상기 제2 다공성 유기 고분자는 아연 이온 전도도가 1
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(a) 하기 [반응식 1]에 따라 산성 용매 하에서, 하기 [화학식 2]로 표시되는 것을 반복단위로 하는 화합물과 알데하이드 용액을 반응시켜 하기 [화학식 1]로 표시되는 것을 반복단위로 하는 제1 다공성 유기 고분자를 제조하는 단계; 및 (b) 상기 제1 다공성 유기 고분자와 아연염 수용액을 반응시켜 상기 제1 다공성 유기 고분가의 술폰기의 양성자가 아연 이온으로 치환된 제2 다공성 유기 고분자를 제조하는 단계;를 포함하는 전도체의 제조방법:[반응식 1] [화학식 2] [화학식 1]상기 X는 수소 또는 하기 [구조식 1] 중에서 선택되는 어느 하나이고,[구조식 1], 상기 R은 수소 및 탄소수 1 내지 30의 알킬기 중에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 Y는 수소 또는 술폰기(SO3H)이며,n은 1 또는 2이다
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제4항에 있어서,상기 아연염은 산화아연(Zinc oxide), 황산아연(Zinc sulfate), 염화아연(Zinc chloride), 질산아연(Zinc nitrate), 수산화아연(Zinc hydroxide), 초산아연(Zinc acetate)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전도체의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 (a) 단계는 술폰화제(sulfonating agent)를 반응시켜 술폰기를 도입하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 술폰화제는 황산(sulfuric acid, H2SO4), 설퍼트리옥사이드(sulfur trioxide, SO3) 및 클로로술폰산(chlorosulfonic acid, ClSO3H)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전도체의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 [화학식 2]로 표시되는 것을 반복단위로 하는 화합물은 하기 [반응식 2]에 따라 하기 [화학식 3]으로 표시되는 것을 반복단위로 하는 화합물과 술폰화제(sulfonating agent)를 반응시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 전도체의 제조방법:[반응식 2] [화학식 3] [화학식 2]n은 1 또는 2이다
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제8항에 있어서,상기 술폰화제는 황산(sulfuric acid, H2SO4), 설퍼트리옥사이드(sulfur trioxide, SO3) 및 클로로술폰산(chlorosulfonic acid, ClSO3H)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전도체의 제조방법
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제1항의 전도체를 포함하는 고체 전해질용 조성물
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