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탄소층을 포함하고,상기 탄소층을 지지층으로 하여 상기 탄소층 내에 하나 이상의 탄소는 단원자 철로 치환되되,상기 하나 이상의 단원자 철은 질소가 결합되어, Fe-N4 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 전기화학촉매
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제1항에 있어서,상기 질소원자는, 피리디닉-N, 그래피틱-N, 및 피롤릭-N 구조 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 전기화학촉매
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제2항에 있어서,상기 질소원자는 피리디닉-N, 그래피틱-N, 및 피롤릭-N 구조를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 전기화학촉매
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제1항에 있어서,상기 철은, 1
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제1항의 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 전기화학적 전극촉매를 포함하는 활성전극부; 반대전극부;상기 활성전극부 및 반대전극부가 담지되어 있는 전해질용매부;상기 전극촉매에서 환원반응이 진행하도록 활성전극부측에 반응물을 투입하는 반응물투입부; 및상기 활성전극부에서 환원반응의 결과로 생성된 생성물을 추출하는 생성물추출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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제5항에 있어서,상기 반응물투입부 및 생성물추출부는 흐름셀 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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7
제6항에 있어서,상기 반응물투입부는 “ㄹ”자 형태가 반복되는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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8
제6항에 있어서,상기 생성물추출부는 마그네틱바를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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9
제5항에 있어서,상기 탄소평면은, 질소원자를 포함하고,상기 질소원자는, 피리디닉-N, 그래피틱-N, 및 피롤릭-N 구조 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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10
제5항에 있어서,상기 질소원자는, 피리디닉-N, 그래피틱-N, 및 피롤릭-N 구조를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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11
제5항에 있어서,상기 단원자 철은, Fe-N4구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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제5항에 있어서,상기 전해질용매부는 과염소산, 황산, 및 인산으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이드록실아민 또는 하이드록실암모늄염 제조용 장치
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제5항에 있어서,상기 전해질용매부는, pH가 -0
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제5항에 있어서,상기 활성전극부와 상기 반대전극부 사이의 전위차는 -0
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