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점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자로,하부전극; 상기 하부전극상에 구비된 저항변화층; 및 상기 저항변화층 상에 구비된 상부전극을 포함하며, 상기 저항변화층은 깊이에 따라 상이한 산소이온농도를 가지는 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자
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제 1항에 있어서, 상기 저항변화층은 상기 상부전극으로의 전압인가에 따라 상기 산소이온이 동하며, 이로써 상기 저항변화층의 저항특성이 변하는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자
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제 2항에 있어서, 상기 산소이온의 이동에 따라 상기 저항변화층의 절연특성의 금속산화물 두께는 얇아지는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자
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제 1항에 있어서, 상기 저항변화층은 양극산화된 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자
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제 3항에 있어서, 상기 전압인가에 의하여 이동된 산소이온은 상기 전압이 인가되지 않는 경우, 농도 확산에 따라 전압인가시 이동한 방향과 반대 방향으로 이동하며, 이로써 저항특성이 다시 바뀌는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자
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제 1항에 있어서, 상기 저항변화층은 상기 상부전극방향으로 높은 산소이온 농도를 가지며, 이로써 절연성을 갖는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자
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점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자 제조방법으로, 기판 상에 하부전극을 적층하는 단계; 상기 하부전극상에 금속박막을 적층한 후 양극산화를 진행하여 점진적 산소이온 농도를 가지는 금속산화물 저항변화층을 형성하는 단계; 상기 저항변화층 상에 상부전극을 적층하는 단게를 포함하며, 상기 저항변화층은 상기 상부전극 방향의 산소 이온 농도가 상기 하부전극 방향의 산소 이온 농도보다 높은 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 하부전극은 Ti, Al, Ta, W 및 Cr으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 금속산화물은 Ti, Al, Ta, W, Cr으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는
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제 8항에 있어서, 상기 상부전극은 Pt, Pd, Au 및 W으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 점진적 산소이온 농도를 가지는 멤리스터 소자 제조방법
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