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반도체 장치

  • 기술번호 : KST2023003366
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는, 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되는 플라잉 캐패시터; 일 단은 상기 제1 노드를 통해 상기 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 출력 노드에 연결되는 제1 인덕터; 및 일 단은 상기 제2 노드를 통해 상기 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 상기 출력 노드에 연결되는 제2 인덕터를 포함하고, 상기 플라잉 캐패시터는, 제1 위상에서 플로팅 상태에 있고, 상기 제1 위상과 상이한 제2 위상에서 상기 제1 인덕터를 통해 방전되고, 상기 제1 위상 및 상기 제2 위상과 상이한 제3 위상에서 상기 제2 인덕터를 통해 충전될 수 있다.
Int. CL H02M 3/156 (2006.01.01) H02M 1/00 (2007.01.01) H02M 7/483 (2007.01.01)
CPC H02M 3/156(2013.01) H02M 1/0095(2013.01) H02M 7/4833(2013.01)
출원번호/일자 1020220062174 (2022.05.20)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0109532 (2023.07.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220005062   |   2022.01.13
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양준혁 경기도 수원시 영통구
2 조정현 대전광역시 유성구
3 박정표 경기도 수원시 영통구
4 공태황 경기도 수원시 영통구
5 김현식 대전광역시 유성구
6 배홍현 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2022-0537038-26
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되는 플라잉 캐패시터;일 단은 상기 제1 노드를 통해 상기 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 출력 노드에 연결되는 제1 인덕터; 및일 단은 상기 제2 노드를 통해 상기 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 상기 출력 노드에 연결되는 제2 인덕터를 포함하고,상기 플라잉 캐패시터는,제1 위상에서 플로팅 상태에 있고,상기 제1 위상과 상이한 제2 위상에서 상기 제1 인덕터를 통해 방전되고,상기 제1 위상 및 상기 제2 위상과 상이한 제3 위상에서 상기 제2 인덕터를 통해 충전되는,반도체 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 위상에서,상기 제1 인덕터는 상기 제1 노드를 통해 입력 노드에 연결되고,상기 제2 인덕터는 상기 제2 노드를 통해 상기 입력 노드에 연결되고,상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 입력 노드로부터 제공되는 입력 전압에서 상기 출력 노드의 출력 전압을 감한 차이만큼 에너자이징(energizing)되는, 반도체 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 제2 위상에서,상기 제1 인덕터는 상기 제1 노드를 통해 상기 플라잉 캐패시터에 연결되고,상기 제1 인덕터는 상기 플라잉 캐패시터의 전압에서 상기 출력 전압을 감한 차이만큼 디에너자이징(de-energizing)되는, 반도체 장치
4 4
제2항에 있어서,상기 제3 위상에서,상기 제2 인덕터는 상기 제2 노드를 통해 상기 플라잉 캐패시터에 연결되고,상기 제2 인덕터는 상기 입력 전압에서 상기 플라잉 캐패시터의 전압과 상기 출력 전압을 감한 차이만큼 디에너자이징되는, 반도체 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 인덕터의 제1 인덕터 전류가 상기 제2 인덕터의 제2 인덕터 전류보다 일시적으로 커진 경우,상기 플라잉 캐패시터의 전압이 감소하여 상기 제1 인덕터 전류와 상기 제2 인덕터 전류가 동일하도록 조정되고,상기 제1 인덕터의 제1 인덕터 전류가 상기 제2 인덕터의 제2 인덕터 전류보다 일시적으로 작아진 경우,상기 플라잉 캐패시터의 전압이 증가하여 상기 제1 인덕터 전류와 상기 제2 인덕터 전류가 동일하도록 조정되는, 반도체 장치
6 6
제1 인덕터 및 플라잉 캐패시터의 일 단에 입력 전압을 선택적으로 제공하는 제1 연결 스위치;상기 플라잉 캐패시터의 타 단에 접지 전압을 선택적으로 제공하는 제2 연결 스위치;제2 인덕터의 일 단에 상기 입력 전압을 선택적으로 제공하는 제3 연결 스위치; 및상기 플라잉 캐패시터의 타 단의 전압을 상기 제2 인덕터의 일 단에 제공하는 제4 연결 스위치를 포함하는반도체 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 위상에서,상기 제1 연결 스위치 및 상기 제3 연결 스위치는 온 상태이고,상기 제2 연결 스위치 및 상기 제4 연결 스위치는 오프 상태이고,상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 입력 전압에서 출력 전압을 감한 차이만큼 에너자이징되는, 반도체 장치
8 8
제6항에 있어서,상기 제2 위상에서,상기 제2 연결 스위치 및 상기 제3 연결 스위치는 온 상태이고,상기 제1 연결 스위치 및 상기 제4 연결 스위치는 오프 상태이고,상기 제1 인덕터는 상기 플라잉 캐패시터의 전압에서 출력 전압을 감한 차이만큼 디에너자이징되고,상기 제2 인덕터는 상기 입력 전압에서 출력 전압을 감한 차이만큼 에너자이징되는, 반도체 장치
9 9
제6항에 있어서,상기 제2 위상에서,상기 제1 연결 스위치 및 상기 제4 연결 스위치는 온 상태이고,상기 제2 연결 스위치 및 상기 제3 연결 스위치는 오프 상태이고,상기 제1 인덕터는 상기 입력 전압에서 출력 전압을 감한 차이만큼 에너자이징되고,상기 제2 인덕터는 상기 입력 전압에서 상기 플라잉 캐패시터의 전압과 상기 출력 전압을 감한 차이만큼 디에너자이징되는, 반도체 장치
10 10
제1 노드와 제3 노드 사이에 연결되는 제1 플라잉 캐패시터;제5 노드와 제7 노드 사이에 연결되는 제2 플라잉 캐패시터;일 단은 상기 제1 노드를 통해 상기 제1 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 출력 노드에 연결되는 제1 인덕터;일 단은 제2 노드와 상기 제3 노드 사이의 제1 연결 스위치를 통해 상기 제1 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 상기 출력 노드에 연결되는 제2 인덕터;일 단은 상기 제5 노드를 통해 상기 제2 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 상기 출력 노드에 연결되는 제3 인덕터;일 단은 제6 노드와 상기 제7 노드 사이의 제2 연결 스위치를 통해 상기 제2 플라잉 캐패시터에 연결되고, 타 단은 상기 출력 노드에 연결되는 제4 인덕터;상기 제2 노드와 상기 제7 노드 사이에 연결되는 제3 연결 스위치; 및상기 제3 노드와 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제4 연결 스위치를 포함하는반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.