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가시광을 반사시키고 근적외선(Near-infrared, NIR) 광을 투과시키는 재질로 이루어진 멤브레인(Membrane) 층(Layer), 그리고상기 멤브레인 층의 하단에 형성되어 상기 근적외선 광을 반사시키는 캐비티(Cavity) 패턴층을 포함하고,상기 캐비티 패턴층은,위조 식별을 위한 소정의 패턴을 형성하는, 위조 방지 태그
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제1항에서,상기 멤브레인 층과 상기 캐비티 패턴층은,SON(Silicon-on-nothing) 기술을 이용하여 형성되는, 위조 방지 태그
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제1항에서,상기 멤브레인 층과 상기 캐비티 패턴층은 단층으로 구성되는, 위조 방지 태그
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제1항에서,상기 멤브레인 층과 상기 캐비티 패턴층은, 복층으로 구성되고,상기 멤브레인 층은,상기 가시광을 반사시키고 상기 근적외선 광을 투과시키는 제1 멤브레인 층, 그리고상기 제1 멤브레인 층의 하부에 형성되어 상기 근적외선 광을 투과시키는 제2 멤브레인 층을 포함하고,상기 캐비티 패턴층은,상기 제1 멤브레인 층과 상기 제2 멤브레인 층 사이에 형성되는 제1 캐비티 패턴층, 그리고상기 제2 멤브레인 층의 하부에 형성되는 제2 캐비티 패턴층을 포함하는, 위조 방지 태그
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제1항에서,상기 멤브레인 층은,실리콘(silicone) 재질 또는 저마늄(Germanium)의 재질로 구성되는, 위조 방지 태그
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제1항에서,상기 캐비티 패턴층은,상기 멤브레인 층과 굴절율이 다른 물질로 채워진, 위조 방지 태그
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위조 방지 태그의 본체인 반도체 기판의 상부면을 내측으로 식각하여 위조 식별을 위한 소정의 패턴으로 이루어진 캐비티(Cavity) 패턴층(Layer)을 형성하는 단계,상기 캐비티 패턴층이 형성된 반도체 기판에 어닐링(annealing) 공정을 적용하여 멤브레인(Membrane) 층을 형성하는 단계, 그리고상기 멤브레인 층의 표면에 평탄화 공정을 적용하여 상기 어닐링 공정으로 인하여 상기 멤브레인 층의 표면에 생성된 단차(step)를 제거하는 단계를 포함하고,상기 멤브레인 층은, 가시광을 흡수 및 반사시키고 근적외선(Near-infrared, NIR) 광을 투과시키며,상기 캐비티 패턴층은, 상기 멤브레인 층의 하단에 형성되어 상기 근적외선 광을 반사시키는, 위조 방지 태그의 제조 방법
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제7항에서,상기 캐비티 패턴층을 형성하는 단계는,소정의 너비를 가진 단면 형상이면서 내측으로 소정 높이를 가지며 깊게 식각된 초기 홀 패턴이 형성되어 있는 상기 반도체 기판에 에칭 기술을 적용하여 상기 캐비티 패턴층(Layer)을 형성하는, 위조 방지 태그의 제조 방법
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제8항에서,상기 캐비티 패턴층을 형성하는 단계는,DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 상기 캐비티 패턴층을 형성하는, 위조 방지 태그의 제조 방법
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제9항에서,상기 캐비티 패턴층 및 상기 멤브레인 층의 두께 및 높이는,상기 초기 홀 패턴의 너비 및 높이에 따라 결정되는, 위조 방지 태그의 제조 방법
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제9항에서,상기 캐비티 패턴층은,상기 초기 홀 패턴의 너비와 높이에 따른 종횡비에 따라 단층 또는 복층으로 형성되는, 위조 방지 태그의 제조 방법
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제7항에서,상기 평탄화 공정은,화학-기계적 평탄화(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정을 포함하는, 위조 방지 태그의 제조 방법
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반도체 기판의 내부에 소정의 캐비티(Cavity) 패턴이 형성된 위조 방지 태그, 그리고상기 위조 방지 태그의 상부면에서 상기 위조 방지 태그의 내측 중심 방향으로 근적외선(Near-infrared, NIR) 광을 투사하여 상기 캐비티 패턴에서 반사되는 반사광을 분석하고, 반사광 분석을 토대로 상기 소정의 캐비티 패턴을 인식하는 근적외선 검사 장치를 포함하는, 위조 방지 시스템
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제13항에서,상기 위조 방지 태그의 반도체 기판은,가시광을 흡수 및 반사시키고 상기 근적외선 광을 투과시키는 재질로 구성되는, 위조 방지 시스템
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제13항에서,상기 위조 방지 태그는,상기 소정의 캐비티 패턴이 형성된 외부 상면이 평탄화되어 있고, 상기 소정의 캐비티 패턴은, 소정의 두께를 가진 캐비티(Cavity)가 형성되어 있는, 위조 방지 시스템
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제13항에서,상기 근적외선 검사 장치는,소정의 파장을 가진 상기 근적외선 광을 방사하는 근적외선 광원,상기 캐비티 패턴에서 반사되는 반사광 이미지를 생성하는 카메라, 그리고상기 카메라로부터 획득한 상기 반사광 이미지를 분석하여 상기 캐비티 패턴의 2차원 형상을 인식하는 제어부를 포함하는, 위조 방지 시스템
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제16항에서,상기 근적외선 검사 장치는,스마트폰에 포함되는, 위조 방지 시스템
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제16항에서,상기 근적외선 검사 장치는,휴대형 근적외선 현미경에 포함되는, 위조 방지 시스템
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제13항에서,상기 근적외선 검사 장치는,소정의 파장을 가진 상기 근적외선 광을 방사하는 근적외선 광원,상기 근적외선 광을 투과하는 대물렌즈, 상기 근적외선 광을 분할하는 빔 스플리터 및 상기 대물렌즈의 하단에 장착된 미러를 포함하는 렌즈부,상기 렌즈부에서 입사되는 간섭 광을 픽셀 별로 측정하여 출력하는 카메라, 그리고상기 카메라로부터 수신한 픽셀 별 간섭 광의 측정 정보를 토대로 상기 캐비티 패턴의 3차원 형상 정보를 인식하는 제어부를 포함하고,상기 빔 스플리터는,상기 대물렌즈를 통과한 근적외선 광을 상기 미러를 향하는 제1 방향과 상기 위조 방지 태그를 향하는 제2 방향으로 각각 분할하며,상기 간섭 광은,상기 제1 방향으로 분할된 근적외선 광이 상기 미러에 의해 반사되어 상기 빔 스플리터로 입사되는 기준 광, 그리고 상기 제2 방향으로 분할된 근적외선 광이 상기 캐비티 패턴에서 반사되어 상기 빔 스플리터로 입사되는 샘플 광 간에 간섭을 일으켜 발생하는, 위조 방지 시스템
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제19항에서,상기 캐비티 패턴의 3차원 형상 정보는,상기 위조 방지 태그의 외부 상부면에서 상기 캐비티 패턴의 상부 경계면까지 형성된 제1 두께 정보, 그리고 상기 캐비티 패턴의 높이인 제2 두께 정보를 포함하고,상기 카메라는,픽셀 별로 간섭 광 신호의 세기(Intensity)를 측정하여 출력하고,상기 제어부는,상기 카메라로부터 수신한 픽셀 별 간섭 광 신호의 세기를 토대로 인터페로그램(interferogram)을 분석하여 상기 간섭 광 신호가 증폭하는 지점 간의 광 길이, 그리고 상기 위조 방지 태그를 구성하는 재질의 굴절율을 이용하여 상기 제1 두께 정보 및 상기 제2 두께 정보를 산출하는, 위조 방지 시스템
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