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무기막; 및무기막과 직접 접촉하여 배치되되 Si-O-Si 결합을 구비하는 실록산 고분자막; 을 포함하는, 유연 봉지 구조체
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제 1 항에 있어서,무기막과 실록산 고분자막은 유연 봉지 구조체의 내부 잔류 응력을 조절하기 위하여 서로 반하는 응력을 갖는, 유연 봉지 구조체
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제 1 항에 있어서,무기막은 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 질화물(AlN), 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiONx), 마그네슘 산화물(MgO), 마그네슘 질화물(MgNx), 마그네슘 불화물(MgF2), 티타늄 산화물(TiO2), 티타늄 질화물(TiNx), 하프늄 산화물(HfO2), 하프늄 질화물(HfNx), 지르코늄 산화물(ZrO2), 지르코늄 질화물(ZrNx), 지르코늄 황화물(ZrS), 아연 산화물(ZnO), 아연 황화물(ZnS), 아연 질화물(ZnNx), 텅스텐 산화물(WO3) 및 이트륨 산화물(Y2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,유연 봉지 구조체
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제 1 항에 있어서,실록산 고분자막은 pV3D3(poly(1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethyl cyclotrisiloxane)), PVS(폴리비닐실록산; polyvinyl siloxane), 폴리실록산(poly siloxane), PDMS(poly(dimethylsiloxane)), PMTFPS(Polymethyl (3,3,3- trifluoropropyl) siloxane) 및 PAPMS(poly(3-aminopropyl)methylsiloxane), POS(Polyorganosiloxane) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,유연 봉지 구조체
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제 1 항에 있어서,무기막은 20nm 내지 50nm의 두께를 가지는,유연 봉지 구조체
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제 1 항에 있어서,무기막은 원자층 증착(ALD), 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 스퍼터 증착(sputter), 전자선 증착(E-beam) 및 진공 증착(vacuum plating) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성한, 유연 봉지 구조체
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제 1 항에 있어서,실록산 고분자막은 개시제를 이용한 화학기상증착(iCVD), 스핀 증착(Spin coating), 딥 증착(Dip coating), 바 증착(Bar coating), 잉크젯 증착(Inkjet), 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 스퍼터 증착(sputter) 및 전자선 증착(E-beam) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성한,유연 봉지 구조체
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기판;상기 기판 상에 배치되되 제 1 항 내지 제 7 항 중에서 선택된 어느 하나의 유연 봉지 구조체; 및상기 기판 상에 배치된 유기 전자 소자; 를 포함하는, 전자 장치
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제 8 항에 있어서,기판과 유연 봉지 구조체는 광을 투과시킬 수 있는 물질을 포함하는, 전자 장치
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제 8 항에 있어서,상기 유기 전자 소자는 전계발광(electro-luminescence, EL) 소자, 폴리머 태양전지(PSC) 소자, 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, QD(quantum dot) 소자 또는 페로브스카이트(perovskite) 소자를 포함하는,전자 장치
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