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다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴의 제조 방법, 위장 패턴의 최적화 방법 및 이를 위한 전자 장치

  • 기술번호 : KST2023003427
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시에 따르면, 제1 스펙트럼 영역에 대한 제1 위장 패턴과 대응하는 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 마스크 패턴으로 폴리머 필름을 가공하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계, 상기 폴리머 패턴을 제2 스펙트럼 영역에 대한 제2 위장 패턴 상에 부착하여 단위 위장 패턴을 형성하는 단계 및 상기 단위 위장 패턴을 반복적으로 배열한 후 일부 영역을 선택하여 크롭핑하는 단계를 포함하는, 다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴의 제조 방법, 위장 패턴의 최적화 방법 및 이를 위한 전자 장치가 제공된다.
Int. CL F41H 3/00 (2006.01.01) G06N 3/08 (2023.01.01) G06T 7/11 (2017.01.01)
CPC F41H 3/00(2013.01) G06N 3/08(2013.01) G06T 7/11(2013.01) G06T 2207/20132(2013.01) G06T 2207/20048(2013.01)
출원번호/일자 1020230023868 (2023.02.22)
출원인 국방과학연구소, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2540113-0000 (2023.05.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20230608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2023.02.22)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용만 대전광역시 유성구
2 김태헌 대전광역시 유성구
3 유영준 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 광장리앤고 대한민국 서울특별시 중구 남대문로 **, *층(소공동, 한진빌딩 본관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2023.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2023-0209705-57
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2023.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2023-0209650-34
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2023.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2023-0214449-81
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2023.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0082996-40
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
7 등록결정서
Decision to grant
2023.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0416429-07
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번호 청구항
1 1
다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴의 제조 방법에 있어서,제1 스펙트럼 영역에 대한 제1 위장 패턴과 대응하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴으로 폴리머 필름을 가공하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 폴리머 패턴을 제2 스펙트럼 영역에 대한 제2 위장 패턴 상에 부착하여 단위 위장 패턴을 형성하는 단계; 및상기 단위 위장 패턴을 반복적으로 배열한 후 일부 영역을 선택하여 크롭핑(cropping)하는 단계를 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 스펙트럼 영역은 적외선 영역을 포함하고,상기 제2 스펙트럼 영역은 가시광선 영역을 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 폴리머 패턴은 금속 및 금속 산화물을 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는:랜덤한 노이즈 패턴을 복수의 열 강도 레벨로 이산화(discretization)하는 단계; 및이산화된 패턴 중 적어도 일부와 대응하는 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴의 제조 방법
5 5
전자 장치의 다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법에 있어서,제1 스펙트럼 영역에 대한 제1 위장 패턴에 관한 제1 정보를 기반으로 마스크 패턴에 관한 정보를 생성하는 단계;상기 마스크 패턴에 관한 정보 및 제2 스펙트럼 영역에 대한 제2 위장 패턴에 관한 제2 정보를 기반으로 단위 위장 패턴에 관한 정보를 생성하는 단계;상기 단위 위장 패턴의 반복적 배열 중 선택된 일부 영역의 패턴을 객체 탐지 모델에 인식시킨 결과에 관한 제3 정보를 확인하는 단계; 및상기 제3 정보를 기반으로 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보 중 적어도 하나를 업데이트하는 단계를 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 제1 정보 및 상기 제2 정보 중 적어도 하나를 업데이트하는 단계는, 상기 선택된 일부 영역의 패턴에 관한 정보 및 상기 제3 정보 중 적어도 하나를 기반으로 수행되는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 제3 정보는 상기 객체 탐지 모델의 적어도 하나의 네트워크에서 상기 선택된 일부 영역의 패턴을 인식한 정도를 나타내는 객체 인식 점수 정보를 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 제1 위장 패턴의 반복적 배열 중 선택된 일부 영역의 패턴을 객체 탐지 모델에 인식시킨 결과에 관한 제4 정보를 확인하는 단계를 더 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 정보 및 상기 제2 정보 중 적어도 하나를 업데이트하는 단계는, 상기 제3 정보 및 상기 제4 정보 중 적어도 하나를 기반으로 수행되는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
10 10
제5항에 있어서,상기 객체 탐지 모델에 인식시키기 이전에 상기 선택된 일부 영역의 패턴을 변환하는 단계를 더 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 선택된 일부 영역의 패턴의 변환은 EOT(expectation over transformation) 및 TPS(thin plate spline) 중 적어도 하나에 의해 수행되는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
12 12
제5항에 있어서,랜덤한 노이즈 패턴을 복수의 열 강도 레벨로 이산화하여 상기 제1 정보를 생성하는 단계를 더 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
13 13
제5항에 있어서,상기 제1 스펙트럼 영역은 적외선 영역을 포함하고,상기 제2 스펙트럼 영역은 가시광선 영역을 포함하는,다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴 최적화 방법
14 14
다중 스펙트럼 탐지에 대한 위장 패턴을 최적화하기 위한 전자 장치에 있어서,적어도 하나의 명령어를 저장하는 메모리; 및상기 적어도 하나의 명령어에 기초하여, 제1 스펙트럼 영역에 대한 제1 위장 패턴에 관한 제1 정보를 기반으로 마스크 패턴에 관한 정보를 생성하고, 상기 마스크 패턴에 관한 정보 및 제2 스펙트럼 영역에 대한 제2 위장 패턴에 관한 제2 정보를 기반으로 단위 위장 패턴에 관한 정보를 생성하고, 상기 단위 위장 패턴의 반복적 배열 중 선택된 일부 영역의 패턴을 객체 탐지 모델에 인식시킨 결과에 관한 제3 정보를 확인하고, 상기 제3 정보를 기반으로 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보 중 적어도 하나를 업데이트하는 프로세서를 포함하는,전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.