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광가교를 이용한 다층 반도체 나노판상구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023003447
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 모양과 발광파장 조절이 가능한 비등방성 반도체 나노판상구조체를 발광체로 사용하여 좁은 반치폭, 광학적 이방성, 우수한 광방출 효율(out-coupling efficiency)로 우수한 전계발광소자 구현이 가능하다. 본 발명에 따르면, 아지드 기를 포함한 광가교제를 나노판상구조체에 적용하여 나노판상구조체의 배열을 조절하여 적층하였다. 임의 방향 나노판상구조체와 제어 방향 나노판상구조체의 두께가 동일함에도 불구하고 소자 성능 향상을 보였다.
Int. CL H10K 50/00 (2023.01.01) H10K 71/00 (2023.01.01) C09D 11/101 (2014.01.01) C09D 11/03 (2014.01.01) C09K 11/88 (2006.01.01) C09K 11/56 (2006.01.01) H10K 50/80 (2023.01.01) C07C 247/16 (2006.01.01)
CPC H10K 50/115(2013.01) H10K 71/00(2013.01) C09D 11/101(2013.01) C09D 11/03(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/565(2013.01) H10K 50/805(2013.01) C07C 247/16(2013.01)
출원번호/일자 1020220101307 (2022.08.12)
출원인 한국과학기술원, 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0024857 (2023.02.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210106681   |   2021.08.12
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이도창 대전광역시 유성구
2 강문성 서울특별시 마포구
3 조현진 대전광역시 유성구
4 윤다은 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0846654-01
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2022-5195690-28
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2022-5274937-97
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2022-5300080-29
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
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번호 청구항
1 1
다음을 포함하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법:(a) 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체(semiconductor nanoplatelets) 및 아지드 기(azide group)를 포함하는 광가교제를 포함하는 잉크 조성물을 준비하는 단계;(b) 기판 위에 상기 잉크 조성물을 도포하여 반도체 나노판상구조체 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 반도체 나노판상구조체 박막에 광을 조사하여 박막을 경화시키는 단계; 및(d) 상기 (b) 및 (c) 단계를 반복하여 반도체 나노판상구조체 박막을 적층하여, 다층 반도체 나노판상구조체를 제조하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 코어/쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노판상구조체에 대한 상기 광가교제의 무게 비율은 3 wt% 내지 15 wt%인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 나노판상구조체의 농도는 2 mg/ml 내지 15 mg/ml인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 250 nm 내지 260 nm의 파장의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (d) 단계를 2회 내지 5회 반복하여, 나노판상구조체가 면내 방향(in-plane) 페이스다운(face-down) 상태로 배열되어 2층 내지 5층으로 적층되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법
9 9
기판; 및 상기 기판 위에 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체가 적층되어 있고, 상기 반도체 나노판상구조체는 아지드 기(azide group)를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체(semiconductor nanoplatelets)
10 10
제9항에 있어서, 상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체
11 11
제9항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체
12 12
제9항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 면내 방향(in-plane) 페이스다운(face-down) 상태로 배열되어 2층 내지 5층으로 적층된 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체
13 13
제9항 내지 제12항 중 어느 한 항의 다층 반도체 나노판상구조체; 및 전극을 포함하는 전계발광소자(electroluminescence device)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 원천기술개발사업 (N01210597)(통합EZ)양자점 기반 광발광 및 전계발광 디스플레이 응용을 위한 패터닝 공정 개발(2021년도)