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제1항에 있어서,상기 실리콘계 나노시트는 실록센을 포함하는, 실리콘계 나노시트
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제1항에 있어서,상기 실리콘계 나노시트는 두께가 2 nm 이하인, 실리콘계 나노시트
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제1항에 있어서,상기 실리콘계 나노시트는 단일의 실리콘 원자층인 실리콘계 나노시트
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복수의 실리콘층을 포함하고, 어느 하나의 실리콘층과 이와 이웃하는 실리콘층 사이에 금속 입자, 양성자 또는 알킬암모늄 이온이 위치하는 층상 실리콘계 복합 화합물
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제5항에 있어서,상기 층상 실리콘계 복합 화합물의 층간 거리는 2 nm 이상인, 층상 실리콘계 복합 화합물
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7
층상 실리콘계 화합물과 금속염을 반응시켜 층상 실리콘계 화합물의 층 사이에 금속 입자가 위치한 금속-층상 실리콘계 화합물을 제조하는 제1단계;상기 금속-층상 실리콘계 화합물을 산처리하여 층 사이에 양성자가 위치한 양성자-층상 실리콘계 화합물을 제조하는 제2단계; 및상기 양성자-층상 실리콘계 화합물과 알킬암모늄염 또는 알킬아민을 반응시켜 층상 실리콘계 화합물을 박리하는 제3단계; 를 포함하는 실리콘계 나노시트의 제조방법
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8
제7항에 있어서,상기 제1단계에서, 상기 금속-층상 실리콘계 화합물의 층간 거리는 층상 실리콘계 화합물의 층간 거리보다 큰, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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9
제7항에 있어서,상기 제2단계에서, 상기 금속-층상 실리콘계 화합물의 층간 거리와 양성자-층상 실리콘계 화합물의 층간 거리의 차이는 3 nm 미만인, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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10
제7항에 있어서,상기 제3단계는 상기 양성자-층상 실리콘계 화합물과 알킬암모늄염 또는 알킬아민을 반응시켜 층 사이에 알킬암모늄 이온이 위치한 알킬암모늄-층상 실리콘계 화합물을 제조하는 단계; 및 상기 알킬암모늄-층상 실리콘계 화합물을 초음파 처리하여 층상 실리콘계 화합물을 박리하는 단계; 를 포함하는, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 알킬암모늄-층상 실리콘계 화합물의 층간 거리는 양성자-층상 실리콘계 화합물의 층간 거리보다 큰, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 층상 실리콘계 화합물은 층 사이에 알칼리금속 및 알칼리토금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 금속염은 11족 전이금속 중에서 선택되는 어느 하나의 금속을 포함하는, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 실리콘계 나노시트의 두께는 2 nm 이하인, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 실리콘계 나노시트는 단일의 실리콘 원자층인, 실리콘계 나노시트의 제조방법
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제1항 내지 제4항에서 선택되는 어느 한 항의 실리콘계 나노시트로부터 제조되는 실리콘계 물질
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제16항에 있어서,상기 실리콘계 물질은 1차원의 섬유, 2차원의 필름 또는 3차원인 구조체인, 실리콘계 물질
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제1항 내지 제4항에서 선택되는 어느 한 항의 실리콘계 나노시트; 및 그래핀계 나노시트; 를 포함하는 복합 시트
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제18항에 있어서,상기 실리콘계 나노시트와 그래핀계 나노시트의 중량비는 1:2 내지 1:25인, 복합 시트
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