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제1 표면 및 제2 표면을 갖는 SiC 기판 내부에서 제2 표면측에 형성되는 절연 영역, 상기 절연 영역 상에서 상기 제1 표면을 따라 형성되는 소오스 영역, 베이스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 복수의 반도체 영역들을 포함하는 SiC 반도체 소자에 있어서,상기 절연 영역 상에서 상기 베이스 영역으로부터 상기 드레인 영역을 향하여 연장되며, 상기 소오스 영역과 동일 도전형인 제1 도전형의 제1 보조 영역과 이와 상반되는 제2 도전형의 제2 보조 영역에 의해 형성되는 상기 제1 표면과 평행한 P/N 접합면(junction)을 구비하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 보조 영역은 상기 제2 보조 영역 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 보조 영역은 상기 제2 보조 영역 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 보조 영역의 도핑 농도는 상기 소오스 영역의 도핑 농도 보다 작은 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 보조 영역의 도핑 농도는 상기 베이스 영역의 도핑 농도 보다 작은 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 보조 영역에 대한 제2 보조 영역의 도핑 농도의 비율은 0
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제1항에 있어서,상기 제1 보조 영역과 제2 보조 영역의 길이는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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8
제1항에 있어서,제2 보조 영역의 길이는 상기 제1 보조 영역의 길이 보다 큰 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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9
제1항에 있어서,상기 절연 영역은 전기 저항이 105 Ω-cm 이상인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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10
제1항에 있어서,상기 베이스 영역은 상기 소오스 영역과 상기 전류 통로 영역 사이에서 상기 소오스 영역 하단으로 연장되어 상기 소오스 영역과 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 보조 영역의 접합 깊이는 상기 소오스 영역의 접합 깊이와 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 소오스 및 드레인 영역의 도펀트농도는 1018~1021/cm3 인 것을 특징으로 하는 SiC소자
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제4항에 있어서,상기 베이스 영역의 도펀트 농도는 1*1017 ~ 5*1017/cm3 인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 보조 영역의 도펀트 농도는 1015/cm3 ~ 1017/cm3인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 보조 영역의 도펀트 농도는 1015/cm3 ~ 1017/cm3인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 MOSFET 또는 CMOS인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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절연 또는 반절연성 SiC 기판을 제공하는 단계;상기 SiC 기판 내부에 도펀트를 주입하여 복수의 반도체 영역들을 형성하는 단계; 및상기 SiC 기판 상의 상기 복수의 도핑 영역을 전기적으로 연결하기 위한 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수의 반도체 영역을 형성하는 단계는,제2 도전형의 도펀트를 이온 주입하여 베이스 영역을 형성하는 단계;제1 도전형의 제1 보조 영역 및 제2 도전형의 제2 보조 영역의 접합 구조를 형성하기 위하여 제1 도전형의 도펀트 및 제2 도전형의 도펀트를 이온 주입 깊이를 달리하여 이온 주입하는 단계;상기 베이스 영역 내에 제1 도전형의 도펀트를 주입하여 소오스 영역을 형성하는 단계; 및제1 도전형의 도펀트를 주입하여 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서,상기 소오스 영역과 드레인 영역은 하나의 이온 주입 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서,접합 구조 형성 단계에서 상기 제1 도전형 도펀트 및 제2 도전형 도펀트의 이온 주입은 하나의 마스크에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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