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내재형 미세유체채널이 포함된 3차원 전자소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2023003784
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 전자소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 순차적 및 선택적 가소화를 위한 내재형 미세유체채널이 포함된 3차원 전자소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고분자 기판에 내재된 미세유체채널을 통해 가소화제의 투입량 및 경로를 순차적 및 선택적으로 조절하여 가소화 공정을 수행함으로써 고분자 프레임의 영률을 일시적으로 변화시켜 정밀한 형태 변형이 가능하고, 가소화 된 상기 고분자 프레임을 변형 시키면 상기 고분자 프레임이 물리적 완화층(mechanical buffer layer)으로 작용하여 변형 시 소자에 가해지는 스트레스를 흡수하여 변형시 상기 소자를 보호하므로, 상기 소자의 전도도 하락을 방지하고 전기적 특성을 유지할 수 있다.
Int. CL H01L 25/075 (2006.01.01) H01L 23/538 (2006.01.01) H01L 33/48 (2010.01.01) H01L 33/00 (2023.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01)
CPC H01L 25/0753(2013.01) H01L 23/538(2013.01) H01L 33/483(2013.01) H01L 33/0095(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 2933/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020220014205 (2022.02.03)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0117903 (2023.08.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.02.03)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고흥조 광주광역시 북구
2 김기관 광주광역시 북구
3 김승현 광주광역시 북구
4 차지훈 광주광역시 북구
5 유정일 광주광역시 북구
6 장훈수 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2022-0121273-59
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번호 청구항
1 1
평면 형태의 고분자 기판이 접혀서 형성된 다면체 형태의 고분자 프레임; 및상기 고분자 프레임의 외부 표면에 위치하는 유연성 전자소자부를 포함하고,상기 고분자 기판은 미세유체채널을 내재하는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
2 2
제1항에 있어서,상기 고분자 프레임은 인접면이 접하는 모서리부 및 상기 고분자 기판이 내부로 접혀 들어간 시접부를 포함하고, 상기 모서리부 및 시접부에는 미세유체채널이 형성된 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 미세유체채널은 가소화제 투입구, 변형 유도 채널, 및 상기 가소화제 투입구와 변형 유도 채널을 연결하는 흐름 유도 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
4 4
제3항에 있어서,상기 흐름 유도 채널은 변형 유도 채널보다 단면적이 작은 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
5 5
제3항에 있어서,상기 흐름 유도 채널은 정사각형의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
6 6
제1항에 있어서,상기 고분자 프레임은 상기 고분자 기판 내의 미세유체채널에 가소화제가 투입된 부분이 선택적으로 가소화되고, 상기 가소화 되는 부분이 접혀서 형성된 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
7 7
제1항에 있어서,상기 유연성 전자소자부는,전자소자 및 회로패턴을 포함하고,상기 고분자 프레임의 인접면에 위치하는 전자소자는 상기 회로패턴을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
8 8
제1항에 있어서,상기 고분자 기판 및 고분자 프레임은아크릴로니트릴부타디엔스티렌(acrylonitrile butadiene styrene; ABS), 폴리메틸메타크릴레이트(poly methyl methacrylate), 폴리아크릴레이트(polyacrylate),폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드 (polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리아미드이미드(polyamideimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리이스터(polyester), 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리메틸실세스퀴옥산(polymethylsilsesquioxane), 폴리에틸렌옥사이드(Polyethylene oxide), 폴리아크릴로나이트릴(Polyacrylonitrile), 폴리비닐리덴플로라이드(Polyvinylidenefluoride), 폴리비닐클로라이드(Polyvinylchloride), 폴리에테르설폰(polyethersulphone), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone), 폴리부타디엔테레프탈레이트(polybutadieneterephtalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 셀룰로오스트리아세테이트(cellulose triacetate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinoate), 폴리이소시아누레이트(polyisocyanurate), 폴리메틸실세스퀴옥산(polymethylsilsesquioxane), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate)중 어느 하나 이상의 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
9 9
미세유체채널이 내재된 고분자 기판과, 유연성 전자소자부를 준비하는 단계(S10);고분자 기판의 표면에 유연성 전자소자부를 전사하는 단계(S20);고분자 기판 내의 미세유체채널에 가소화제를 투입하여 선택적으로 가소화 및 형태 변형시키는 단계(S30); 및형태 변형이 완료된 후 가소화제를 제거하여 고분자 프레임의 형태를 유지시켜 3차원 전자소자를 제조하는 단계(S40)를 포함하는,3차원 전자소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 유연성 전자소자부는 실리콘을 유기기판에 전사하는 단계(S11);상기 유기기판에 절연층을 형성하는 단계(S12);상기 절연층 상에 Via를 패터닝하는 단계(S13); 및전극소재의 코팅 및 증착을 통해 전자회로를 구성하는 단계(S14)를 포함하는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 3차원 전자소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 전극소재는 전이 금속류, 전이후 금속류, 준금속류, 다원자 비금속류, 알칼리 금속류, 알칼리 토금속류, 란타넘족, 악티늄족 중 어느 하나의 원소를 포함하는 전도성 금속; 전도성 나노소재; 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole) 폴리티오펜(polythiophen), 폴리에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리이소티아나프텐 (polyisothianaphthene), 폴리페닐렌비닐렌 (polyphenylene vinylene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리티에닐렌비닐렌(polythienylene-vinylene), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide), 폴리설퍼니트리드(polysulfur nitride), 폴리피리딘(polypyridine), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리인돌(polyindole), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리아진(polyazine), 폴리퀴논(polyquinone), 폴리푸란(polyfuran), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리셀레노펜(polyselenophene), 폴리텔루로펜(polytellurophene), 폴리메톡시에틸헥실옥시페닐렌비닐렌(poly(2-methoxy-5-(2'-ethyl)hexyloxy-p-phenylenevinylene), 폴리이소티안나프탈렌(polyisothian naphthalene), 폴리에틸렌디옥시티오펜-테트라메타아크릴레이트(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-tetramethacrylate), 폴리헥실티오펜(poly 3-hexylthiophene), 폴리옥틸티오펜(poly 3-octlythiophene) 및 폴리뷰틸티오펜(polybutylthiopehene)중 어느 하나를 포함하는 전도성고분자; 또는 상기 소재들의 혼합소재인 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 고분자 기판의 표면에 유연성 전자소자부를 전사하는 단계는수용성 테이프를 이용하여 상기 유연성 전자소자부를 고분자 기판 표면에 전사하는 단계; 및상기 수용성 테이프를 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자의 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 가소화제는 다이메틸폼아미드(Dimethylformamide; DMF), 아세탈디하이드(Acetaldehyde), 아세틱엑시드(Acetic acid), 아세톤(Acetone), 아세토나이트릴(Acetonitrile), 아세토페네디틴(Acetopheneditin), 아세토페논(Acetophenoe), 아세틸아세톤(Acetyl acetone), 아세틸클로라이드(Acetyl Chloride), 아세틸나이트라이드(Acetyl nitrite), 아세틸나이트릴 (Acetylnitrile), 아세틸로나이트릴(Acetylonitrile), 알릴알콜 (Allyl alcohol), 알릴클로라이드(Allyl chloride), 아민(Amines), 암모니아(Ammonia), 암모늄플로라이드(Ammonium fluoride), 아밀아세테이트(Amyl acetate), 아밀클로라이드(Amyl chloride), 아닐린(Aniline), 아닐린클로로하이드레이트(Aniline chlorohydrate), 아쿠아레지아(Aqua regia), 아로마틱하이드로카본(Aromatic hydrocarbons), 아스팔트(Asphalt), 벤잘데하이드(Benzaldehyde), 벤젠(Benzene), 벤젠설포닉엑시드(Benzene sulfonic acid), 벤질아세테이트(Benzyl acetate), 벤질알콜(Benzyl alcohol), 벤질클로라이드(Benzyl chloride), 브로마인(Bromine), 부타디엔(Butadiene), 부탄(Butane), 뷰틸아세테이트(Butyl acetate), 뷰틸아크릴레이트(Butyl acrylate), 뷰틸알콜(Butyl Alcohol), 뷰틸클로라이드(Butyl chloride), 뷰틸이써(Butyl ether), 뷰틸페놀(Butyl phenol), 보론용매(Boron fluides), 브로모폼(Bromoform), 브로모톨루엔(Bromotoluene), 부타디엔메톡시(Butadiene-2,4-p-Methoxy), 뷰틸프탈레이드(Butyl phthalate), 뷰틸렌(Butylene), 뷰틸릭엑시드(Butyric acid), 칼슘비스설파이드(Calcium bisulfide), 칼슘클로라이드(Calcium chloride), 칼슘하이드로옥사이드(Calcium hydroxide), 칼슘하이포클로라이트(Calcium hypochlorite), 캠퍼오일(Camphor oil), 카본모노옥사이드(Carbon monoxide) 카본다이설파이드(Carbon disulfide), 카본테트라클로라이드(Carbon Tetrachloride), 코스틱소다(Caustic soda), 클로릭엑시드(Chloric acid), 클로린(Chlorine), 클로로아세틱엑시드(Chloroacetic acid), 클로로벤젠(Chlorobenzene), 클로로폼(Chloroform), 클로로설포닉엑시드(Chlorosulfonic acid), 클로미아룸(Chrome alum), 크로믹엑시드(Chromic acid), 카퍼사이나이드(Copper cyanide), 카퍼플루오보레이드(Copper fluoborate), 크레오졸(Creosols), 크레오실릭엑시드(Creosylic acid), 크레졸(Cresol), 사이클로헥산(Cyclohexane), 사이클로헥사놀(Cyclohexanol), 사이클로헥사논(Cyclohexanone), 데카하이드로나프탈렌(Decahydronaphthalene), 다이뷰티옥시에틸프탈레이드(Di(butoxyethyl) phthalate), 다이뷰틸프탈레이드(Dibutyl phthalate), 다이클로로에탄(Dichloro ethane), 다이클로로벤젠(Dichlorobenzene), 다이클로로에틸렌(Dichloroethylene), 다이에틸이써(Diethyl ether), 다이에틸아민(Diethylamine), 다이메틸아민(Dimethylamine), 다이옥틸프탈레이드(Dioctyl phthalate), 이써(Ethers), 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 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acid), 모르포린(Morpholine), 나프타(Naphtha), 나프탈렌(Naphthalene), 니켈나이트레이트(Nickel nitrate), 나이트릭엑시드(Nitric acid), 니트로벤젠(Nitrobenzene), 올릭엑시드(Oleic acid), 올리브오일(Olive oil), 옥시즌가스(Oxygen Gas), 오존(Ozone), 팔미틱엑시드(Palmitic acid), 파라핀(Paraffin), 퍼클로릭엑시드(Perchloric acid), 퍼클로로에틸렌(Perchloroethylene), 페트로레움(Petroleum), 페닐하이드라진(Phenyl hydrazine), 포스젠가스(Phosgene gas), 포스젠용매(Phosgene liquid), 포스퍼릭엑시드(Phosphoric acid), 포스퍼우스트리클로라이드(Phosphorous trichloride), 포스퍼우스옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride), 포스퍼우스펜타클로라이드(Phosphorus pentachloride), 포타슘바이카보네이트(Potassium bicarbonate), 포타슘보레이트(Potassium borate), 포타슘브로메이트(Potassium bromate), 포타슘브로마이드(Potassium bromide), 포타슘카보네이트(Potassium carbonate), 포타슘클로라이드(Potassium chloride, 포타슘사이아나이드(Potassium cyanide), 포타슘페리사이나이드(Potassium ferricyanide), 포타슘퍼클로레이트(Potassium perchlorate), 포타슘퍼만가네이트(Potassium permanganate), 포타슘퍼설페이트(Potassium persulfate), 포타슘설페이트(Potassium sulfate), 프로판(Propane), 프로파놀(Propanol), 프로파글리알콜(Propargyl alcohol), 프로피오닉엑시드(Propionic acid), 프로필알콜(Propyl alcohol), 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자일렌(Xylene) 및 진크설트(Zinc salts)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자의 제조방법
14 14
제9항에 있어서,상기 고분자 기판 및 고분자 프레임은 아크릴로니트릴부타디엔스티렌(acrylonitrile butadiene styrene; ABS)이고, 상기 가소화제는 다이메틸폼아미드(Dimethylformamide, DMF)인 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자의 제조방법
15 15
제9항에 있어서,상기 가소화제의 제거는 가열을 통해 가소화제를 증발시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 광주과학기술원 중견연구 형태변형 다중블록 프레임을 이용한 무맹점 구형 이미지센서 개발