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희토류 이온이 함유된 광학소재의 온도의존 광투과 특성을 이용한 한 쌍의 광투과 신호의 광세기비를 이용하는 것으로,상기 한 쌍의 광투과 신호는 단일의 희토류 이온에 의하여 형성되는 상이한 온도의존 특성을 보이는 두 파장의 광투과 신호의 광세기비를 이용하는 것인,광투과를 이용한 온도측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 두 파장은, 하나의 파장은 온도가 증가할수록 광투과도가 증가하는 것이며, 다른 하나의 파장은 온도가 증가할수록 광투과도가 감소하는 것인,광투과를 이용한 온도측정 방법
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제2항에 있어서, 상기 한 쌍의 광투과 신호는 Er3+ 이온의 4I15/2→4I13/2 천이에 의해서 형성되며 1485 nm의 단파장 대역 및 1560 nm의 장파장 대역의 광투과 신호인 것인,광투과를 이용한 온도측정 방법
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제2항에 있어서, 상기 한 쌍의 광투과 신호는 Tm3+ 이온의 3H6→3F4 천이에 의해서 형성되며 1560 nm의 단파장 대역 및 1720 nm의 장파장 대역의 광투과 신호인 것인,광투과를 이용한 온도측정 방법
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제1항에 있어서,상기 한 쌍의 광투과 신호의 광세기비(R)는 한쌍의 광세기(Ia, Ib)로부터 의 로그 함수로 계산되는 것이며,상기 k는 로그 함수의 밑을 나타내는 상수이고 Ia 및 Ib는 특정 한 쌍의 광투과 신호에서의 각각의 광투과 신호의 광세기인 것인,광투과를 이용한 온도측정 방법
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제5항에 있어서,상기 로그함수를 이용하는 광세기 비 그래프는 다항함수, 지수함수 및 로그함수 중 어느 하나 이상의 함수로 피팅(fitting)한 곡선을 이용하는 것인,광투과를 이용한 온도측정 방법
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희토류 이온이 함유된 광학소재의 온도의존 광투과 특성 및 이로부터 얻어진 한 쌍의 광투과 신호의 광세기비를 이용하는 것이며,동일한 희토류 이온에서 상이한 온도의존 특성을 보이는 두 파장의 광투과 신호의 광세기 비를 이용하는 것인,온도센서 시스템
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제7항에 있어서,희토류 이온을 함유한 광학소재가 일단에 구비된 온도센서 프로브; 및상기 온도센서 프로브의 타단에 결합되는 광섬유 가이드를 포함하는 온도센서 시스템
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제8항에 있어서,상기 광섬유 가이드를 통하여 상기 광학소재의 상기 희토류 이온을 여기시키는 광(light)을 제공하는 광원소자;상기 광학소재에서 발생하는 형광섬유를 상기 광섬유 가이드를 통하여 측정하는 광검출기; 및상기 광검출기를 통하여 수신된 광신호를 분석하는 신호분석 모듈을 더 포함하는,온도센서 시스템
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