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하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물에 칼륨염과 아연염을 반응시킨 후, 이산화탄소를 도입하는 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법: [화학식 1]상기 식에서,R1, R2 및 R3는 동일 또는 상이하며, 수소 또는 치환가능한 탄화수소기로서, 상기 치환가능한 탄화수소기는 탄소원자수 1~10의 알킬기, 고리원자수 3~10의 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내며, 상기 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 히드록시, 아미노, 알킬, 알킬옥시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴, 아릴옥시, 아릴아미노, 디아릴아미노 또는 헤테로아릴기에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다
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제1항에 있어서,상기 칼륨염은 칼륨 비스(트리메틸실릴)아미드[potassium bis(trimethylsilyl)amide, KHMDS] 인 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연염은 아연 비스(트리메틸실릴)아미드[zinc bis(trimethylsilyl)amide, Zn(HMDS)2] 인 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 칼륨염과 아연염은 화학식 1의 방향족 화합물의 벤질릭 위치를 활성화하는 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이산화탄소 도입은300 내지 1000 psig 에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이산화탄소 도입은70 내지 200 ℃ 에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이산화탄소 도입은3 내지 24 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이산화탄소 도입에서추가적인 금속염을 사용하는 것을 특징으로 하는,카르복실산의 제조방법
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(a) 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물에 칼륨염과 아연염을 반응시키는 단계;(b) 상기 (a) 단계의 반응물에 이산화탄소를 도입하여 하기 화학식 2로 표시되는 카르복실산을 제조하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법: [화학식 1][화학식 2]상기 식에서,R1, R2 및 R3는 동일 또는 상이하며, 수소 또는 치환가능한 탄화수소기로서, 상기 치환가능한 탄화수소기는 탄소원자수 1~10의 알킬기, 고리원자수 3~10의 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내며, 상기 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 히드록시, 아미노, 알킬, 알킬옥시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴, 아릴옥시, 아릴아미노, 디아릴아미노 또는 헤테로아릴기에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다
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제9항에 있어서, 상기 칼륨염은 칼륨 비스(트리메틸실릴)아미드[potassium bis(trimethylsilyl)amide, KHMDS]이고, 상기 아연염은 아연 비스(트리메틸실릴)아미드[zinc bis(trimethylsilyl)amide, Zn(HMDS)2] 인 것을 특징으로 하는, 카르복실산의 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되고,하기 화학식 2로 표시되는 카르복실산:[화학식 2]상기 식에서, R1, R2 및 R3는 동일 또는 상이하며, 수소 또는 치환가능한 탄화수소기로서, 상기 치환가능한 탄화수소기는 탄소원자수 1~10의 알킬기, 고리원자수 3~10의 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내며, 상기 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 히드록시, 아미노, 알킬, 알킬옥시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴, 아릴옥시, 아릴아미노, 디아릴아미노 또는 헤테로아릴기에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다
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제11항에 있어서, 상기 카르복실산은 이산화탄소로부터 제조된 것을 특징으로 하는, 카르복실산
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