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기재; 및상기 기재상에 위치하는 금속산화물층, 상기 금속산화물층 상 서로 이격 위치하는 제1전극과 제2전극, 상기 제1전극과 상기 제2전극이 이격된 영역에 위치하는 귀금속 나노입자층, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극이 이격된 영역에 위치하되, 상기 귀금속 나노입자층 상에 위치하는 팔라듐 나노입자층을 포함하는 센싱부;를 포함하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역의 상기 금속산화물층 표면은 상기 귀금속 나노입자층과 접촉되는 제1영역과, 상기 귀금속 나노입자층과 접촉되지 않는 제2영역을 포함하는, 수소 가스 센서
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제2항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역의 상기 금속산화물층 표면은 상기 팔라듐 나노입자층과 접촉되는 제3영역을 더 포함하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 팔라듐 나노입자층의 총 팔라듐 원자함량 비 : 상기 귀금속 나노입자층의 귀금속의 원자함량 비는 0
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제5항에 있어서, 상기 귀금속 나노입자층의 귀금속은 은, 금, 구리 또는 백금 이들의 조합인, 수소 가스 센서
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6
제1항에 있어서,상기 센싱부 상에 위치하는 고분자층을 더 포함하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층의 고분자는 아크릴레이트계 고분자인, 수소 가스 센서
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8
제1항에 있어서,상기 고분자층의 고분자는 비다공질 폴리메틸메타크릴레이트인, 수소 가스 센서
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9
제1항에 있어서,상기 기재는 유연기판 또는 수축필름인, 수소 가스 센서
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a) 절연층 일면에 금속산화물층을 형성하는 단계;b) 상기 절연층과 접하지 않는 금속산화물층 일면에 서로 이격되는 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계; c) 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역에 귀금속 나노입자층을 형성하는 단계; 및 d) 상기 귀금속 나노입자층 상에 팔라듐 나노입자층을 형성하는 단계; 를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 c) 단계에서, 상기 귀금속 나노입자층은 상기 금속산화물층 표면의 일부영역에 증착되어 형성되는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 d) 단계에서, 상기 팔라듐 나노입자층은 상기 귀금속 나노입자층 및 상기 금속산화물층 표면의 일부영역에 증착되어 형성되는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 d) 단계 이후,e) 상기 팔라듐 나노입자층 및 상기 귀금속 나노입자층을 열처리하는 단계;를 더 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 e) 단계에서,상기 열처리는 상기 팔라듐 나노입자층의 팔라듐 또는 상기 귀금속 나노입자층의 귀금속의 녹는점 보다 낮은 온도 하에 수행되는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 열처리 온도는 80 내지 500℃인, 수소 가스 센서의 제조방법,
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제13항에 있어서,상기 e) 단계 이후, f) 상기 팔라듐 나노입자층 상에 고분자층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 f) 단계는 용매에 용해된 폴리메틸메타크릴레이트를 상기 팔라듐 나노입자층 상에 도포 및 건조하는 단계를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 f) 단계에서상기 용매는 할로겐화 알콕시 벤젠 화합물인, 수소 가스 센서의 제조방법
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