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기판 상에 제1고분자로부터 형성된 패턴화된 고분자층; 및상기 패턴화된 고분자층 상에 제2고분자-CNT 복합체로부터 형성된 복합체층;을 포함하는 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판으로서,상기 제2고분자-CNT복합체는 제2고분자에 의해 CNT가 랩핑된 것이고,상기 패턴화된 고분자층과 복합체층은 트리아졸을 통해 연결되는 것이고,상기 제1고분자는 하기 화학식 2로 표시되고,상기 제2고분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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제 1항에 있어서,상기 트리아졸은 하기 화학식 1로 표시되는 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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제 1항에 있어서,상기 트리아졸은 상기 제1고분자와 제2고분자의 클릭반응에 의해 형성되는 것이고, 상기 클릭반응은 하기 반응식 1로 표시되는 반응인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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4
제 1항에 있어서,상기 제1고분자는 아크릴계 공중합체인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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제 1항에 있어서,상기 화학식 2는 하기 화학식 4로 표시되는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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제 5항에 있어서,상기 화학식 4는 하기 화학식 5로 표시되는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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7
제 6항에 있어서,상기 화학식 5는 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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제 1항에 있어서,상기 제2고분자는 플루오렌기반 공중합체인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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9
제 1항에 있어서,상기 화학식 3은 하기 화학식 7의 반복단위(n) 및 하기 화학식 8의 반복단위(m)를 포함하는 공중합체인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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10
제 9항에 있어서,상기 공중합체에서 상기 반복단위(n) 및 반복단위(m)의 몰분율을 각 n 및 m 라고 할 때, n+m=1 이고, 상기 n는 0
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11
제 1항에 있어서,상기 CNT 필름 코팅 기판은 기판과 패턴화된 고분자층 사이에 자기 조립 단분자층(SAM)을 더 포함하는 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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12
제 11항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층(SAM)은 하기 화학식 9로 표시되는 화합물로부터 형성된 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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13
제 1항에 있어서,상기 제2고분자-CNT 복합체에서 상기 CNT는 반도체성 단일벽 탄소나노튜브(sc-SWCNT)인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판
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(a) 기판 상에 제1고분자를 코팅하고 마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 패턴화된 제1고분자가 형성된 기판을 제2고분자-CNT 복합체 용액에 접촉시키는 단계; 및(c) 상기 제1고분자와 제2고분자가 클릭반응하여 패턴화된 고분자층 및 복합체층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1고분자는 하기 화학식 2로 표시되고,상기 제2고분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 (a) 단계는,(a-1) 용매로 기판을 세척하는 단계;(a-2) 상기 기판 상에 자기 조립 단분자층(SAM)을 코팅하는 단계;(a-3) 상기 자기 조립 단분자층 상에 제1고분자를 코팅하는 단계;(a-4) 패턴이 있는 마스크를 이용하여 상기 제1고분자를 선택적으로 경화하는 단계; 및(a-5) 용매로 기판에 미반응된 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 코팅은 스핀 코팅, 딥 코팅, 드롭핑, 스프레이 코팅, 솔루션 케스팅, 바코팅, 롤코팅 및 그라비아 코팅으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법에 의해 수행되는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 제2고분자-CNT 복합체 용액은 제2고분자, CNT 및 용매를 포함하는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 클릭반응하는 시간에 따라 CNT 필름의 밀도를 조절하는 것인 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제1항 내지 제13항에서 선택되는 어느 한 항의 패턴화된 CNT 필름 코팅 기판을 포함하는 CNT 기반 전자소재
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