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바이어스된 광전기화학적(PEC, photoelectrochemical) 물 분해를 통해 주변 열(ambient heat)을 H2로 전환시키는 디바이스로서,광애노드(photoanode), 상대 전극, 및 상기 두 개의 전극들 사이의 전해액을 포함하는, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 주변 열은 상기 디바이스의 작동 시 주변 온도로부터 기인되는 것으로서, 상기 주변 온도는 실온 내지 100℃인 것인, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 광애노드는 투명 전도성 기재 상에 코팅된 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 것인, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 시스템에 의한 광전기화학적 물 분해 반응 동안 주변 열을 H2로 전환하여, 흡수된 광자-to-H2 양자 효율 (absorbed photon-to-H2 quantum efficiencies)이 100% 초과인, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 시스템에 의한 광전기화학적 물 분해 반응이 상기 광애노드에 300 nm 내지 2000 nm의 광(light)의 조사(irradiation) 하에 진행되는 것인, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 디바이스에서 광전기화학적 물 분해 반응이 상기 광애노드에 태양광의 조사 하에 진행되는 것인, 디바이스
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제 3 항에 있어서,상기 광애노드에서 광 조사에 의하여 물의 산화 반응이 진행됨에 따라 상기 광애노드에 포함된 상기 금속 산화물 결정의 표면에서 산소 원자의 결핍이 발생하여 상기 금속 산화물 결정의 상 전환이 발생하는 것인, 디바이스
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제 4 항에 있어서,상기 광애노드에서 광 조사에 의하여 물의 산화 반응이 진행됨에 따라 1광자-to-다중 전자(one-photon-to-multiple-electrons) 유도 현상이 발생하는 것인, 디바이스
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제 3 항에 있어서,상기 광애노드에서 상기 투명 전도성 기재 상에 코팅된 상기 금속 산화물은 상기 금속 산화물의 나노분말과 상기 금속 산화물의 수화물을 혼합하여 열처리하여 형성된 것인, 디바이스
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제 3 항에 있어서,상기 광애노드는 상기 투명 전도성 기재 상에 코팅된 상기 금속 산화물에 추가하여 양자점을 포함하는 것인, 디바이스
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