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광 시냅스 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2023003979
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 시냅스 트랜지스터에 관한 기술이 개시된다. 상기 광 시냅스 트랜지스터는 게이트 전극부, 상기 게이트 전극부 상에 마련되는 유전체부, 상기 유전체부 상에 마련되는 전자트랩부, 상기 전자트랩부 상에 마련되는 광전기변환부, 상기 광전기변환부 상에 마련되는 채널부, 상기 채널부에 전기적으로 연결되는 소스 전극부 및 상기 소스 전극부와 이격되게 마련되며, 상기 채널부에 전기적으로 연결되는 드레인 전극부를 포함한다. 인가되는 광에 의해 상기 광전기변환부에서 생성되는 전자 및 홀은 각각 상기 전자트랩부 및 상기 채널부로 이동할 수 있다. 상기 전자트랩부는 상기 광전기변환부 보다 낮은 에너지레벨을 가질 수 있다. 본 명세서에서 개시하는 광 시냅스 트랜지스터는 별도로 전자트랩부를 마련함으로써 광에 의해 생성되는 전자가 광전기변환부에 머물러 있는 것이 아니라 전자트랩부로 이동하도록 함으로써 채널부로 이동한 홀과 전자트랩부로 이동한 전자 사이의 에너지 장벽을 더욱 크게 함으로서 광전류의 향상 및 메모리 상태(memory state)를 오래 유지할 수 있는 효과를 제공해 줄 수 있다.
Int. CL H01L 31/113 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) G06N 3/063 (2023.01.01) H10K 99/00 (2023.01.01)
CPC H01L 31/1136(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/032(2013.01) G06N 3/063(2013.01) H10K 85/40(2013.01) H10K 85/10(2013.01)
출원번호/일자 1020220149341 (2022.11.10)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0069026 (2023.05.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210154672   |   2021.11.11
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.11.10)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤광석 서울특별시 서초구
2 김태우 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신진현 대한민국 대구광역시 동구 동대구로 *** (신천동, 대구상공회의소) *층 ***호(신진현국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-1195658-14
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2022-5274937-97
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2022-5300080-29
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번호 청구항
1 1
게이트 전극부;상기 게이트 전극부 상에 마련되는 유전체부;상기 유전체부 상에 마련되는 전자트랩부;상기 전자트랩부 상에 마련되는 광전기변환부;상기 광전기변환부 상에 마련되는 채널부;상기 채널부에 전기적으로 연결되는 소스 전극부; 및상기 소스 전극부와 이격되게 마련되며, 상기 채널부에 전기적으로 연결되는 드레인 전극부를 포함하는 광 시냅스 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,인가되는 광에 의해 상기 광전기변환부에서 생성되는 전자 및 홀은 각각 상기 전자트랩부 및 상기 채널부로 이동하는 광 시냅스 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서,상기 전자트랩부는 상기 광전기변환부 보다 낮은 에너지레벨을 가지는 광 시냅스 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 채널부는 TIPS-펜타센을 포함하며,상기 광전기변환부는 페로브스카이트를 포함하며,상기 전자트랩부는 SnO2, ZnO 또는 TiO2를 포함하며,상기 유전체부는 SiO2를 포함하는 광 시냅스 트랜지스터
5 5
게이트 전극부를 준비하는 과정;상기 게이트 전극부 상에 유전체부를 마련하는 과정;상기 유전체부 상에 전자트랩부를 마련하는 과정;상기 전자트랩부 상에 광전기변환부를 마련하는 과정;상기 광전기변환부 상에 채널부를 마련하는 과정;상기 채널부에 전기적으로 연결되는 소스 전극부를 마련하는 과정; 및상기 소스 전극부와 이격되게 상기 채널부에 전기적으로 연결되는 드레인 전극부를 마련하는 과정을 포함하는 광 시냅스 트랜지스터 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 전자트랩부를 마련하는 과정은 SnO2, ZnO 또는 TiO2가 물에 분산된 콜로이드 용액을 상기 유전체부 상에 코팅하는 과정을 포함하는 광 시냅스 트랜지스터 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 광전기변환부를 마련하는 과정은 CsBr 및 PbBr2 파우더를 DMSO 용매에 녹인 후 상기 전자트랩부 상에 코팅하는 과정을 포함하는 광 시냅스 트랜지스터 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 채널부를 마련하는 과정은 TIPS-펜타센과 폴리스티렌을 클로로벤젠에 녹인 후 상기 광전기변환부 상에 코팅하는 과정을 포함하는 광 시냅스 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서강대학교산학협력단 대학ICT연구센터지원사업 인공지능 서비스 실현을 위한 지능형 반도체 설계 핵심기술 개발
2 과학기술정보통신부 서강대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 섬유 형태의 슈퍼커패시터를 활용한 스위치 슈퍼커패시터회로 및 이를 이용한 자가발전 기반의 의복형 센서 개발