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유기 광전자소자 제조방법 및 이의 제조방법에 의한 유기 광전자소자

  • 기술번호 : KST2023004012
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 광전자소자 제조방법은 제 2 층 조성물을 매개체에 도포하는 단계; 및 상기 매개체에 도포된 제 2 층 조성물을 상기 제 1 층 상에 이동시켜 제 2 층 박막을 제 1 층 상에 형성시키는 단계;를 포함하고, 상기 제 2 층 조성물은 전자 도너(donor) 및 전자 억셉터(acceptor)를 포함하고, 상기 전자 억셉터(acceptor)는 비풀러렌(nonfullerene) 화합물을 포함한다.
Int. CL H10K 50/00 (2023.01.01) H10K 99/00 (2023.01.01)
CPC H10K 50/14(2013.01) H10K 71/00(2013.01) H10K 85/657(2013.01) H10K 85/6576(2013.01)
출원번호/일자 1020220002073 (2022.01.06)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0106318 (2023.07.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.01.06)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 왕동환 서울특별시 동작구
2 김민수 부산광역시 부산진구
3 장웅식 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인위더피플 대한민국 서울특별시 서대문구 경기대로 **, 진양빌딩 *층(충정로*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2022-0018363-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2023.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0143041-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2023.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0716913-42
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번호 청구항
1 1
제 2 층 조성물을 매개체에 도포하는 단계; 및상기 매개체에 도포된 제 2 층 조성물을 상기 제 1 층 상에 이동시켜 제 2 층 박막을 제 1 층 상에 형성시키는 단계;를 포함하고,상기 제 2 층 조성물은 전자 도너(donor) 및 전자 억셉터(acceptor)를 포함하고, 상기 전자 억셉터(acceptor)는 비풀러렌(nonfullerene) 화합물을 포함하는,유기 광전자소자 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전자 억셉터(acceptor)는 플루오르기를 포함하는 비풀러렌(nonfullerene) 화합물을 포함하는,유기 광전자소자 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전자 도너(donor)는 플루오르기를 포함하는 화합물을 포함하는, 유기 광전자소자 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 층 박막을 제 1 층 상에 형성시키는 단계 이후에, 상기 제 2 층 상에 제 3 층 박막을 형성시키는 단계를 더 포함하는, 유기 광전자소자 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 층은 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenediocy-thiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid))를 포함하는,유기 광전자소자 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 2 층 조성물의 전자 억셉터(acceptor)는 IEICO-4F(2,2'- [[4,4,9,9-Tetrakis(4-hexylphenyl)-4,9-dihydro-s-indaceno[1,2-b:5,6-b']dithiophene-2,7-diyl]bis]] [[4-[(2-ethylhexyl)oxy]-5,2-thiophenediyl]methylidyne(5,6-difluoro-3-oxo-1H-indene-2,1(3H)-diylidene) ]]bis[propanedinitrile])인,유기 광전자소자 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 층 조성물의 전자 도너(donor)는 PTB7-Th(Poly([2,6′-4,8-di(5-ethylhexylthienyl)benzo[1,2-b;3,3-b]dithiophene]{3-fluoro-2[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl})인,유기 광전자소자 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서,상기 제 3 층 박막은 티타늄 옥사이드(TiOx, 1≤x≤10)를 포함하는, 유기 광전자소자 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 층 상에 형성되는 제 2 층 박막 내에서 하부 및 상부로 구분되고, 제 1 층과 접하는 부분이 하부이고, 제 1 층과 접하지 않는 부분이 상부일 때, 상기 상부는 전자 억셉터(acceptor)가 전자 도너(donor) 보다 더 풍부하고, 상기 하부는 전자 도너(donor)가 전자 억셉터(acceptor) 보다 풍부한, 유기 광전자소자 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,제 2 층 조성물을 매개체에 도포하는 단계 이전에, 폴리우레탄 아크릴레이트 올리고머를 포함하는 매개체를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 매개체를 제조하는 단계에서 상기 매개체와 제 2 층 사이의 계면에너지 차이를 A, 제 2 층 및 제 1 층 사이의 계면에너지 차이를 B, 매개체와 제 1 층 사이의 계면에너지 차이를 C, (A - B)/ C 의 값을 w라고 할 때, w 003c# -1 을 만족하도록 상기 매개체에 하이드록시, 카복시 또는 플루오르 그룹을 포함하는 화학 작용제를 더 첨가하는, 유기 광전자소자 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제 1 층 상에 형성되는 제 2 층 박막의 제곱근 평균(RMS) 거칠기는 0
12 12
제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 정공수송층으로서 제 1 층; 상기 제 1 층 상에 광감응층으로서 제 2 층; 상기 제 2 층 상에 전자수송층으로서 제 3 층; 및 상기 제 3 층 상에 제 2 전극;을 포함하는, 제 1 항에 의해 제조되는 유기 광전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 (3차)노이즈 제어 및 반응 신호 향상 연구 기반 조도 맞춤형 차세대 광 디텍터/광 전지 에너지 하베스팅 기술 개발
2 산업통상자원부 중앙대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 [RCMS 4차] 비납계 페로브스카이트 소재 및 친환경 인쇄공정을 통한 모듈 개발
3 산업통상자원부 중앙대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 4차) 초탄성 합금 전극 기술 기반 태양광 발전 섬유 기술 개발