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화학적 처리 없는 나노트랜스퍼 수행 방법

  • 기술번호 : KST2023004109
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노트랜스퍼 수행 방법은, 기판에 나노트랜스퍼를 수행하는 방법에 있어서, (a) 하면에 설정 패턴에 대응하도록 몰드 돌출부가 형성된 폴리머 몰드가 준비되는 단계; (b) 금속이 폴리머 몰드의 하면에 증착되어, 금속층이 몰드 돌출부를 따라 형성되는 단계; (c) 폴리머 몰드가 소정의 온도에서 기판 몸체의 상면에 위치되어 기판 몸체를 소정의 시간 동안 소정의 압력으로 가압하여, 금속층이 설정 패턴을 따라 기판 몸체의 상면에 전사되는 단계; 및 (d) 폴리머 몰드가 기판 몸체로부터 이격되어, 기판 몸체의 상면에 전사된 금속층으로부터 이격되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
Int. CL H01L 21/283 (2006.01.01) H01L 21/3205 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01)
CPC H01L 21/283(2013.01) H01L 21/32051(2013.01) H01L 21/32134(2013.01)
출원번호/일자 1020210186617 (2021.12.23)
출원인 한국기계연구원, 난양 테크놀러지컬 유니버시티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0096772 (2023.06.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.23)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 난양 테크놀러지컬 유니버시티 싱가포르 싱가포르 ******, 난양 애비뉴

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정준호 대전광역시 서구
2 조지준 부산광역시 금정구
3 황순형 대전광역시 유성구
4 전소희 서울특별시 서초구
5 김문호 싱가포르 ******, 난양
6 신상호 싱가포르 ******, 난양

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 *** ,**층 (삼성동, 트레이드타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-1496252-84
2 보정요구서
Request for Amendment
2021.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0205639-62
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2022.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0042051-44
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.03.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2023-5078042-31
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번호 청구항
1 1
기판에 나노트랜스퍼를 수행하는 방법에 있어서,(a) 하면에 설정 패턴에 대응하도록 몰드 돌출부가 형성된 폴리머 몰드가 준비되는 단계;(b) 금속이 폴리머 몰드의 하면에 증착되어, 금속층이 몰드 돌출부를 따라 형성되는 단계;(c) 폴리머 몰드가 소정의 온도에서 기판 몸체의 상면에 위치되어 기판 몸체를 소정의 시간 동안 소정의 압력으로 가압하여, 금속층이 설정 패턴을 따라 기판 몸체의 상면에 전사되는 단계; 및(d) 폴리머 몰드가 기판 몸체로부터 이격되어, 기판 몸체의 상면에 전사된 금속층으로부터 이격되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제1항에 있어서,소정의 온도는 160℃ 내지 200℃이고, 소정의 압력은 3bar 내지 6bar이고, 소정의 시간은 1분 내지 10분인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서,금속층은 20㎚ 내지 40㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제1항에 있어서,기판 몸체는 실리콘, 게르마늄 또는 갈륨비소 중 적어도 하나를 포함하고, 금속은 금, 은 또는 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제1항에 있어서, (d) 단계는, 폴리머 몰드가 23℃ 내지 28℃의 온도에서 0
6 6
제1항에 있어서, 방법은,(d) 단계 이후에, 에칭 용액이 기판 몸체의 상면에 도포되어, 기판 몸체에서 금속층에 대응되는 부분이 제거되고, 금속층에 대응되지 않는 부분이 나노 구조체들로 생성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제6항에 있어서, 에칭 용액은 불산 또는 황산을 포함하는 산, 과산화수소 또는 과망간산칼륨을 포함하는 산화제, 이소프로필 알코올 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제1항에 있어서, (c) 단계에서, 기판 몸체의 상면은 화학적 처리가 이루어지지 않는 상태인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
기판에 나노트랜스퍼를 수행하는 방법에 있어서,(a) 하면에 설정 패턴에 대응하도록 몰드 돌출부가 형성된 폴리머 몰드가 준비되는 단계;(b) 금이 폴리머 몰드의 하면에 증착되어, 금속층이 몰드 돌출부를 따라 형성되는 단계;(c) 폴리머 몰드가 160℃ 내지 200℃에서 실리콘으로 이루어진 기판 몸체의 상면에 위치되어 기판 몸체를 1분 내지 10분 동안 3bar 내지 6bar로 가압하여, 금속층이 설정 패턴을 따라 기판 몸체의 상면에 전사되는 단계; 및(d) 폴리머 몰드가 23℃ 내지 28℃의 온도에서 0
10 10
실리콘, 게르마늄 또는 갈륨비소 중 적어도 하나를 포함한 기판 몸체; 및기판 몸체의 상면에서 설정 패턴으로 전사된 금속층을 포함하되,기판 몸체와 금속층은 물리적으로 결합된 것을 특징으로 하는 기판
11 11
제10항에 있어서,금속층은 금, 은 또는 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판
12 12
제10항에 있어서,금속층은 20㎚ 내지 40㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기판
13 13
제10항에 있어서,금속층의 하면의 원자들이 기판 몸체의 상면의 원자들 사이에 삽입되어 금속층을 기판 몸체의 상면에 물리적으로 결합시키고, 금속층은 기판 몸체의 상면에 전사된 것을 특징으로 하는 기판
14 14
하면에 설정 패턴에 대응하도록 몰드 돌출부가 형성된 폴리머 몰드가 준비되는 단계;금속이 폴리머 몰드의 하면에 증착되어, 금속층이 몰드 돌출부를 따라 형성되는 단계;폴리머 몰드가 소정의 온도에서 기판 몸체의 상면에 위치되어 기판 몸체를 소정의 시간 동안 소정의 압력으로 가압하여, 금속층이 설정 패턴을 따라 기판 몸체의 상면에 전사되는 단계;폴리머 몰드가 기판 몸체로부터 이격되어, 기판 몸체의 상면에 전사된 금속층으로부터 이격되는 단계; 및에칭 용액이 금속층이 전사된 기판 몸체의 상면에 도포되는 단계를 포함하는 나노트랜스퍼 수행 방법에 의해 제조된 기판
15 15
기판에 나노트랜스퍼를 수행하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체에 있어서,하면에 설정 패턴에 대응하도록 몰드 돌출부가 형성된 폴리머 몰드가 준비되는 단계;금속이 폴리머 몰드의 하면에 증착되어, 금속층이 몰드 돌출부를 따라 형성되는 단계;폴리머 몰드가 소정의 온도에서 기판 몸체의 상면에 위치되어 기판 몸체를 소정의 시간 동안 소정의 압력으로 가압하여, 금속층이 설정 패턴을 따라 기판 몸체의 상면에 전사되는 단계;폴리머 몰드가 기판 몸체로부터 이격되어, 기판 몸체의 상면에 전사된 금속층으로부터 이격되는 단계; 및에칭 용액이 금속층이 전사된 기판 몸체의 상면에 도포되는 단계를 실행하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2023121367 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2023121367 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 정보통신기획평가원 과기부-국가연구개발사업(Ⅴ) HOE 기반 홀로그램 프린팅 소형화 기술 개발 (2/4)
2 과학기술정보통신부 한국기계연구원 주요사업 나노기반 옴니텍스(Omni-TEX) 제조기술 개발(1-1) (4/6)
3 산업통상자원부 (주)케이에이피에스 산업부-국가연구개발사업(VI) 나노패턴 기반 플라즈모닉 컬러 응용필름 사업화 (1/2)