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RF 전원을 생성하여 공급하는 RF 전원 공급기;상기 RF 전원 공급기로부터 RF 전원을 공급받는 플라즈마 챔버;상기 RF 전원 공급기와 상기 플라즈마 챔버 사이에 배치되어 상기 플라즈마 챔버로의 출력 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭 회로;를 포함하고,상기 임피던스 매칭회로는, 복수의 전기식 가변 커패시터 회로들을 포함하고,상기 복수의 전기식 가변 커패시터 회로들 중 적어도 하나의 전기식 가변 커패시터 회로는,상기 RF 전원 공급기의 일측과 연결되는 제1 노드;상기 RF 전원 공급기의 타측과 연결되는 제2 노드;상기 제1 노드와 연결되는 가변 커패시터;상기 가변 커패시터와 병렬로 연결되는 인덕터;상기 인덕터와 직렬로 연결되는 스위치; 상기 인덕터 및 상기 스위치와 병렬로 연결되는 PIN 다이오드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제 1항에 있어서,상기 복수의 전기식 가변 커패시터 회로들은 동일한 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제 1항에 있어서,상기 복수의 전기식 가변 커패시터 회로들은 8개 내지 28개로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제 1항에 있어서,상기 PIN 다이오드의 캐소드는 상기 가변 커패시터와 연결되고, 상기 PIN 다이오드의 애노드는 상기 제2 노드와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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RF 전원 공급기의 일측과 연결되는 제1 노드;상기 RF 전원 공급기의 타측과 연결되는 제2 노드;상기 제1 노드와 일측이 연결되는 가변 커패시터;상기 가변 커패시터의 타측에 병렬로 연결되는 PIN 다이오드 일측 및 인덕터 일측; 및상기 인덕터의 타측에 직렬로 연결되며 상기 PIN 다이오드에 병렬로 연결되는 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 가변 커패시터 회로
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제5항에 있어서,상기 PIN 다이오드의 캐소드 단자는 상기 가변 커패시터의 타측에 연결되고, 상기 PIN 다이오드의 애노드 단자는 상기 제2 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기식 가변 커패시터 회로
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