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(a) 기판의 일면 상에 GaN 나노로드를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 GaN 나노로드의 상측 표면만을 덮도록 성장시킨 산화갈륨 나노박막층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서, 상기 산화갈륨 나노박막층은 초기 성장온도부터 최종 성장온도로 갈수록 성장온도를 점진적으로 상승시켜 성장시킨 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 GaN 나노로드는 10 ~ 100,000nm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 산화갈륨 나노박막층은 에피턱셜법(Molecular Beam Epitaxy), 유기 금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 및 수소기상증착법(Hydride vapour phase epitaxy) 중 어느 하나를 이용하여 성장시킨 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 성장 압력은 20 ~ 600 torr로 유지하는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 초기 성장온도는 500 ~ 900℃이고, 상기 최종 성장온도는 600 ~ 1,000℃인 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 초기 성장온도부터 최종 성장온도까지 0
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계 이후, 상기 산화갈륨 나노박막층은 1 ~ 5,000nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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(a) 기판의 일면 상에 GaN 나노로드를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 GaN 나노로드의 표면 상측, 하측 및 측면을 덮도록 성장시킨 산화갈륨 나노박막층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서, 상기 산화갈륨 나노박막층은 초기 성장온도부터 최종 성장온도까지 동일한 성장온도에서 성장시킨 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 GaN 나노로드는 10 ~ 100,000nm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 성장 압력은 20 ~ 600 torr로 유지하는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 초기 성장온도 및 최종 성장온도는 500 ~ 1,000℃로 동일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 (b) 단계 이후, 상기 산화갈륨 나노박막층은 1 ~ 5,000nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체 제조 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체로서, 상기 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체는 기판; 상기 기판의 일면 상에 형성된 GaN 나노로드; 및 상기 GaN 나노로드 표면의 상단부에만 적층 형성된 산화갈륨 나노박막층;을 포함하며, 상기 산화갈륨 나노박막층은 에피턱셜법(Molecular Beam Epitaxy), 유기 금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 및 수소기상증착법(Hydride vapour phase epitaxy) 중 어느 하나를 이용하여 성장시키되, 상기 산화갈륨 나노박막층은 초기 성장온도부터 최종 성장온도로 갈수록 성장온도를 점진적으로 상승시켜 성장시키는 것에 의해, 상기 GaN 나노로드의 표면 하부에 산화갈륨 나노박막 성장이 억제되어, 상기 GaN 나노로드의 상측 표면에만 형성되고, 상기 산화갈륨 나노박막층은 1 ~ 5,000nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체
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제13항에 있어서,상기 GaN 나노로드는 10 ~ 100,000nm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체
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제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체로서, 상기 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체는 기판; 상기 기판의 일면 상에 형성된 GaN 나노로드; 및 상기 GaN 나노로드의 표면 상측, 하측 및 측면을 덮도록 형성된 산화갈륨 나노박막층;을 포함하며, 상기 산화갈륨 나노박막층은 에피턱셜법(Molecular Beam Epitaxy), 유기 금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 및 수소기상증착법(Hydride vapour phase epitaxy) 중 어느 하나를 이용하여 성장시키되, 상기 산화갈륨 나노박막층은 초기 성장온도부터 최종 성장온도까지 동일한 성장온도에서 성장시키는 것에 의해, 상기 GaN 나노로드 표면의 상측, 하측 및 측면을 동일한 두께로 덮도록 형성되고, 상기 산화갈륨 나노박막층은 1 ~ 5,000nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체
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제16항에 있어서,상기 GaN 나노로드는 10 ~ 100,000nm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 나노박막 성장기술을 이용한 나노로드 구조체
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