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기판을 처리하는 장치에 있어서,내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버;상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및상기 처리 가스에 마이크로파를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 마이크로파 인가 유닛을 포함하되,상기 마이크로파 인가 유닛은,상기 지지 유닛의 상부에 배치되고, 상기 처리 공간으로 상기 마이크로파를 방사시키는 투과판;상기 투과판의 상부에 배치된 제1도파관; 및상기 제1도파관으로 상기 마이크로파를 인가하는 제1전원을 포함하고,상기 제1도파관은 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 제1도파관은,투과판의 중심을 기준으로 환형의 링 형상으로 제공되고,상부에서 바라볼 때, 상기 투과판의 중심으로부터 이격된 위치에서 상기 제1전원과 연결되는 기판 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 제1도파관은,상기 투과판의 가장자리 영역과 대향되게 위치되고, 일 부분이 절단된 기판 처리 장치
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제3항에 있어서,상기 제1전원은,상기 제1도파관의 절단면과 인접한 상기 제1도파관의 일면에 결합되는 기판 처리 장치
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제4항에 있어서,상기 제1도파관의 하면에는 복수 개의 제1슬롯이 형성되고, 상기 제1슬롯은,상기 제1도파관의 둘레 방향을 따라 서로 이격되게 배치된 기판 처리 장치
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제5항에 있어서,상기 제1슬롯은,상기 제1도파관을 정단면에서 바라볼 때, 복수의 열로 배치된 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 마이크로파 인가 유닛은,상기 투과판의 상부에서, 상기 투과판의 중심을 포함하는 영역에 배치된 제2도파관; 및상기 제2도파관에 상기 마이크로파를 인가하는 제2전원을 더 포함하고,상기 제2도파관의 하면에는 적어도 하나 이상의 제2슬롯이 형성된 기판 처리 장치
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제7항에 있어서,상기 제1전원으로부터 상기 제1도파관에 인가되는 마이크로파의 세기와 상기 제2전원으로부터 상기 제2도파관에 인가되는 마이크로파의 세기는 상이한 기판 처리 장치
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제7항에 있어서,상기 투과판에는 상기 처리 가스가 유동하는 가스 채널이 형성되고,상기 가스 채널은,상부에서 바라볼 때, 상기 제1도파관 및 상기 제2도파관과 중첩되지 않는 위치에 형성되는 기판 처리 장치
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제7항에 있어서,상기 제1도파관은,상기 투과판의 상부 가장자리 영역 일부를 감싸도록 제공되고,상기 마이크로파 인가 유닛은,상기 투과판의 상부 가장자리 영역의 다른 일부를 감싸도록 제공되어 상기 제1도파관과 서로 조합되어 환형의 링 형상을 형성하고, 하면에 복수 개의 제3슬롯이 형성된 제3도파관; 및상기 제3도파관에 상기 마이크로파를 인가하는 제3전원을 더 포함하는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 제1도파관은 금속의 재질로 제공되고, 상기 투과판은 석영(Quartz)을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치
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기판을 처리하는 장치에 있어서,내부에 처리 공간이 형성된 챔버;상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및상기 처리 공간으로 공급된 처리 가스에 마이크로파를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 마이크로파 인가 유닛을 포함하되,상기 마이크로파 인가 유닛은,상기 지지 유닛의 상부에 배치되어 상기 처리 공간으로 제1마이크로파를 전달하는 투과판;상기 투과판의 상부에 배치되어 내부에 상기 제1마이크로파가 유동하는 제1도파관; 및상기 제1도파관으로 상기 제1마이크로파를 인가하는 제1전원을 포함하고,상기 제1도파관의 하면에는 상기 투과판으로 상기 제1마이크로파가 유동하는 복수 개의 제1슬롯이 형성되고,상기 제1슬롯은 상기 제1도파관의 둘레 방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 기판 처리 장치
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제12항에 있어서,상기 제1슬롯은 복수의 링 형상으로 배치된 기판 처리 장치
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제13항에 있어서,상기 제1도파관은,상기 투과판의 가장자리 영역과 대향되게 위치되고, 일 부분이 절단되어 비 연속적인 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치
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제14항에 있어서,상기 마이크로파 인가 유닛은,상기 투과판의 상부에서, 상기 투과판의 중심을 포함하는 영역에 배치된 제2도파관; 및상기 제2도파관에 제2마이크로파를 인가하는 제2전원을 더 포함하고,상기 제2도파관의 하면에는 적어도 하나 이상의 슬롯이 형성된 기판 처리 장치
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제15항에 있어서,상기 제1도파관은,상기 투과판의 상부 가장자리 영역의 일부를 감싸도록 제공되고,상기 마이크로파 인가 유닛은,상기 투과판의 상부 가장자리 영역의 다른 일부를 감싸도록 제공되어, 상기 제1도파관과 서로 조합되어 환형의 링 형상을 형성하고, 하면에 복수 개의 제3슬롯이 형성된 제3도파관; 및상기 제3도파관에 제3마이크로파를 인가하는 제3전원을 더 포함하는 기판 처리 장치
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제16항에 있어서,상기 투과판의 상면과 상기 제1도파관, 상기 제2도파관, 그리고 상기 제3도파관은 각각 면접하는 기판 처리 장치
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제16항에 있어서,상기 투과판에는 상기 처리 가스가 유동하는 가스 채널이 형성되고,상기 가스 채널은,상부에서 바라볼 때, 상기 제1도파관, 상기 제2도파관, 그리고 상기 제3도파관과 서로 중첩되지 않는 위치에 형성되는 기판 처리 장치
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기판을 처리하는 장치에 있어서,내부에 처리 공간이 형성된 공정 챔버;상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 투과판;상기 투과판의 상부에 배치되고, 하면에 복수 개의 제1슬롯이 형성된 제1도파관;상기 투과판의 상부에서, 상기 투과판의 중심을 포함하는 영역에 배치되고, 하면에 적어도 하나 이상의 제2슬롯이 형성된 제2도파관;상기 제1도파관에 제1마이크로파를 인가하는 제1전원; 및상기 제2도파관에 제2마이크로파를 인가하는 제2전원을 포함하되,상기 제1도파관은,일 부분이 절단된 환형의 링 형상을 가지는 기판 처리 장치
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제19항에 있어서,상기 투과판에는 상기 처리 가스가 유동하는 가스 채널이 형성되고,상기 가스 채널은,상부에서 바라볼 때, 상기 제1도파관 및 상기 제2도파관과 중첩되지 않는 위치에 형성되는 기판 처리 장치
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