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하기 화학식 1로 표시되는 클러스터 화합물 또는 이의 염:[화학식 1]MpXqOr(OH)s(L1)t상기 화학식 1에서,상기 M은 주석(Sn)이며,상기 X는 할로겐이고,상기 L1은 질소(N)를 포함하는 헤테로고리형 리간드이며,p, q, r, s 및 t는 각각 2≤p≤4, 0≤q≤4, 0≤r≤4, 0≤s≤6, r+s≠0 및 0003c#t≤6을 만족한다
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제1항에 있어서,상기 주석은 2가의 주석(Sn)인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
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제1항에 있어서,유기 용매 내에서 0
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제1항에 있어서,상기 X의 전부 또는 일부가 R1COO-, CO32- 및 HCO3- 중 선택되는 어느 하나 이상으로 치환된 것이며, 상기 R1은 C1-5 알킬인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
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제1항에 있어서,상기 화합물은 포토레지스트 패턴 형성용인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
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제6항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 EUV 포토레지스트 패턴인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
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주석 할로겐 화합물, 물 및 질소(N)를 포함하는 헤테로고리형 리간드를 포함하는 용액을 준비하는 제1단계; 및상기 용액을 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 클러스터 화합물 또는 이의 염을 제조하는 제2단계; 를 포함하는 클러스터 화합물 또는 이의 염의 제조방법:[화학식 1]MpXqOr(OH)s(L1)t상기 화학식 1에서,상기 M은 주석(Sn)이며,상기 X는 할로겐이고,상기 L1은 질소(N)를 포함하는 헤테로고리형 리간드이며,p, q, r, s 및 t는 각각 2≤p≤4, 0≤q≤4, 0≤r≤4, 0≤s≤6, r+s≠0 및 0003c#t≤6을 만족한다
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삭제
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제8항에 있어서,상기 질소(N)를 포함하는 헤테로고리형 리간드는 피라졸, 피리딘 및 이미다졸 중에서 선택되는 어느 하나 이상인, 클러스터 화합물 또는 이의 염의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 주석 할로겐 화합물은 상기 질소(N)를 포함하는 헤테로고리형 리간드 1몰에 대하여 0
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제1항 및 제3항 내지 제7항에서 선택되는 어느 한 항의 클러스터 화합물 또는 이의 염; 및 용매; 를 포함하는 포토레지스트 조성물
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(a) 기판 상에 제12항의 포토레지스트 조성물을 도포하고 건조시켜 포토레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트 막을 활성 광선에 노광하는 단계; 및(c) 노광된 상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계; 를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성 방법
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제13항에 있어서,상기 활성 광선은 전자빔 또는 극자외선인, 포토레지스트 패턴 형성 방법
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제13항에 있어서,상기 패턴은 네거티브형 패턴인, 포토레지스트 패턴 형성 방법
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제13항의 포토레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 포함하는 반도체 소자
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기판; 및 상기 기판 상에 제1항 및 제3항 내지 제7항에서 선택되는 어느 한 항의 클러스터 화합물 또는 이의 염이 도포되어 형성된 박막; 을 포함하는 박막 트랜지스터
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