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하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 2에서,X는 F, Cl, Br, I 또는 OH이다
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제1항에 있어서,푸리에 변환 적외선 분광법에 의한 스펙트럼에서 1050±1
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제1항에 있어서,유기 용매 내에서 1 ㎚ 내지 10 ㎚의 평균 입경을 가지는, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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제1항에 있어서,상기 화합물에 포함된 실리콘(Si)과 주석(Sn)의 원자비가 1 내지 5인, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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제1항에 있어서,상기 화합물에 포함된 주석(Sn) 원자의 일부와 배위 결합을 하고 있는 리간드를 더 포함하는, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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제5항에 있어서,상기 리간드는 질소(N), 산소(O) 및 황(S) 중에서 선택되고 적어도 하나의 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 한 개 이상 포함하는 헤테로고리형 리간드인, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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제1항에 있어서,상기 화합물은 실세스퀴옥산 구조를 가지는, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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제1항에 있어서,상기 화합물은 부분 오픈-케이지(open-cage) 구조를 가지는, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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제1항에 있어서,상기 화합물은 포토레지스트 패턴 형성용인, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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제9항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 EUV 포토레지스트 패턴인, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물
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주석 전구체 화합물, 트리알콕시 실란 화합물 및 리간드를 포함하는 용액을 준비하는 제1단계; 및상기 용액을 반응시켜 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물을 제조하는 제2단계; 를 포함하는, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 주석 전구체 화합물은 주석 할로겐 화합물인, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물의 제조방법
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13
제11항에 있어서,상기 주석 전구체 화합물은 상기 트리알콕시 실란 화합물 1몰에 대하여 0
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제11항에 있어서,상기 제2단계는 40 ℃ 내지 80 ℃에서 수행되는 것인, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제2단계는 비활성 기체 분위기 하에서 수행되는 것인, 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물의 제조방법
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16
제1항 내지 제10항에서 선택되는 어느 한 항의 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물
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(a) 기판 상에 제16항의 포토레지스트 조성물을 도포하고 건조시켜 포토레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트 막을 활성 광선에 노광하는 단계; 및(c) 노광된 상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계; 를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성 방법
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18
제17항에 있어서,상기 활성 광선은 전자빔 또는 극자외선인, 포토레지스트 패턴 형성 방법
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제17항에 있어서,상기 패턴은 네거티브형 패턴인, 포토레지스트 패턴 형성 방법
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제17항의 포토레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 포함하는 반도체 소자
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기판; 및 상기 기판 상에 제1항 내지 제10항에서 선택되는 어느 한 항의 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물이 도포되어 형성된 박막; 을 포함하는 박막 트랜지스터
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