| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 클러스터 화합물 또는 이의 염:[화학식 1]M3X3(COOR1)3(L1)l(L2)m(L3)n상기 화학식 1에서,상기 M은 주석(Sn), 인듐(In), 안티몬(Sb) 및 하프늄(Hf) 중에서 선택되는 어느 하나 이상이며,상기 X는 할로겐이고,상기 R1은 -H, C1-20 알킬기, C3-30 사이클로알킬기, C6-30 아릴기 또는 C2-20 알케닐기이며,상기 L1, L2 및 L3은 질소(N), 산소(O) 및 황(S) 중에서 선택되고 적어도 하나의 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 한 개 이상 포함하는 리간드이고,l, m 및 n은 각각 독립적으로 0 또는 1이며, l, m 및 n이 모두 0인 경우는 제외한다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 R1은 -H, C1-10 알킬기 또는 C3-15 사이클로알킬기이며,상기 L1, L2 및 L3은 각각 독립적으로 -OH, -OR4, -COOH, -SH 및 -NR5R6 중에서 선택되는 하나 이상의 작용기를 포함하는 리간드이고, 이때 R4는 C1-20 알킬기이며, R5 및 R6는 각각 독립적으로 H 또는 C1-20 알킬기인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 R1은 -H 또는 C1-5 알킬기이며,상기 L1, L2 및 L3은 각각 독립적으로 -OH, -OR4 및 -COOH 중에서 선택되는 하나 이상의 작용기를 포함하는 리간드이고, 이때 R4는 C1-5 알킬기이며,l, m 및 n은 1인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 M은 주석(Sn)이고,상기 R1은 -H이며,상기 L1, L2 및 L3은 각각 독립적으로 포름산 또는 C1-5알콕시C1-5알킬 알코올이고,l, m 및 n은 1인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 화합물은 포토레지스트 패턴 형성용인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 EUV 포토레지스트 패턴인, 클러스터 화합물 또는 이의 염
|
| 7 |
7
금속 할로겐 화합물, 용매 및 카복실산을 교반하여 반응시키는 단계를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 클러스터 화합물 또는 이의 염의 제조방법:[화학식 1]M3X3(COOR1)3(L1)l(L2)m(L3)n상기 화학식 1에서,상기 M은 주석(Sn), 인듐(In), 안티몬(Sb) 및 하프늄(Hf) 중에서 선택되는 어느 하나 이상이며,상기 X는 할로겐이고,상기 R1은 -H, C1-20 알킬기, C3-30 사이클로알킬기, C6-30 아릴기 또는 C2-20 알케닐기이며,상기 L1, L2 및 L3은 질소(N), 산소(O) 및 황(S) 중에서 선택되고 적어도 하나의 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 한 개 이상 포함하는 리간드이고,l, m 및 n은 각각 독립적으로 0 또는 1이며, l, m 및 n이 모두 0인 경우는 제외한다
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 금속은 주석(Sn)인, 클러스터 화합물 또는 이의 염의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 용매는 질소(N), 산소(O) 및 황(S) 중에서 선택되고 적어도 하나의 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 한 개 이상 포함하는 것인, 클러스터 화합물 또는 이의 염의 제조방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 카복실산은 포름산인, 클러스터 화합물 또는 이의 염의 제조방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 카복실산은 상기 금속 할로겐화합물 1몰에 대하여 1몰 내지 30몰로 사용되는 것인, 클러스터 화합물 또는 이의 염의 제조방법
|
| 12 |
12
제1항 내지 제6항에서 선택되는 어느 한 항의 클러스터 화합물 또는 이의 염; 및 용매; 를 포함하는 포토레지스트 조성물
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,카복실산을 더 포함하는 포토레지스트 조성물
|
| 14 |
14
(a) 기판 상에 제12항의 포토레지스트 조성물을 도포하고 건조시켜 포토레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트 막을 활성 광선에 노광하는 단계; 및(c) 노광된 상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계; 를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 활성 광선은 전자빔 또는 극자외선인, 포토레지스트 패턴 형성 방법
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 패턴은 네거티브형 패턴인, 포토레지스트 패턴 형성 방법
|
| 17 |
17
제14항의 포토레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 포함하는 반도체 소자
|
| 18 |
18
기판; 및 상기 기판 상에 제1항 내지 제6항에서 선택되는 어느 한 항의 클러스터 화합물 또는 이의 염이 도포되어 형성된 박막; 을 포함하는 박막 트랜지스터
|
