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나트륨염 및 망간염을 용매에 용해시켜 반응용액1을 준비하는 단계;바나듐염을 탈이온수에 넣은 후 유기산을 환원제로 추가하여 반응용액2를 준비하는 단계;상기 반응용액1에 상기 반응용액2를 첨가한 후 인산을 추가하여 반응용액3을 준비하는 단계; 상기 반응용액3을 가열한 후, 가열된 반응용액3을 발화시켜 자기소화연소반응을 유도하여 연소침전물을 얻는 단계; 및상기 연소침전물을 불활성기체 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응용액1은 나트륨 : 망간을 4:1 내지 4
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제 1 항에 있어서,상기 나트륨염은 수산화나트륨, 질산 나트륨, 황화 나트륨, 아세트산 나트륨로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 망간염은 질산 망간, 황산 망간, 아세트산 망간으로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 용매는 폴리올인 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응용액2에서 바나듐염과 유기산은 1:2 내지 1:3의 몰비로 포함되는 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 바나듐염은 바나듐산암모늄, 아세트산 바나듐, 질산 바나듐, 황산 바나듐로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 유기산은 옥살산, 아세트산, 구연산으로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 가열된 반응용액3의 온도는 200℃ 내지 450℃인 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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8
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 600℃ 내지 900℃에서 1시간 내지 12시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응용액1을 준비하는 단계에서 도핑용 금속염을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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10
제 8 항에 있어서,상기 도핑용 금속염은 크롬염, 코발트염, 니켈염, 구리염으로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 3차원다공성 NVMP 양극재료 제조방법
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11
제 1 항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 NVM P양극재료 를 포함하는 양극
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제 11 항의 양극을 포함하는 Na 이온 배터리
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제 12 항에 있어서,1
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제 12 항에 있어서,30C 비율에서 3000 사이클 이후 용량이 68 mA h g-1로서 86% 용량이 유지되는 것을 특징으로 하는 Na 이온 배터리
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