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제1 도전형의 나노막대;상기 제1 도전형의 나노막대의 측면을 감싸도록 코어-쉘 구조로 형성된 발광층; 및상기 발광층의 측면에 배치되고, 상기 나노막대에서 측방향으로 멀어질수록 상면이 하향 경사진 구조로 형성된 제2 도전형 반도체층;을 포함하는 나노막대 발광 구조물
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제1 도전형의 나노막대;상기 제1 도전형의 나노막대의 측면을 감싸도록 코어-쉘 구조로 형성된 발광층; 및상기 발광층의 측면에 배치되고, 상기 발광층에 접하는 일부분의 상면은 상기 나노막대의 측방향으로 수평면을 갖고, 상기 나노막대의 측방향으로 멀어질수록 상면이 상기 수평면에서 하향 경사진 경사면을 갖도록 형성된 제2 도전형 반도체층;을 포함하는 나노막대 발광 구조물
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제1 도전형 반도체 베이스층;상기 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 배치된 나노막대와, 상기 나노막대 의 측면에 배치된 발광층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 나노막대 발광 구조물들; 및상기 발광층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 상기 나노막대의 측면에만 선택적으로 성장 형성되도록 하기 위해 상기 나노막대의 상면을 덮도록 형성된 제1 마스크층;을 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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제1 도전형 반도체 베이스층; 및상기 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 배치된 나노막대와, 상기 나노막대 의 측면에 배치된 발광층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 나노막대 발광 구조물들; 을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층은 인접하게 형성된 나노막대 발광 구조물들 사이의 중앙으로 갈수록 상면이 하향 경사지도록 형성된 나노막대를 포함하는 발광소자
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5
제 3 항에 있어서, 상기 제1 마스크층은 양단부가 상기 나노막대와 직교하는 방향으로 상기 나노막대의 일측면 또는 양측면으로 돌출되어 오버행(overhang)을 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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6
제 3 항에 있어서, 상기 제1 마스크층은 상기 나노막대와 직교하는 방향으로 상기 나노막대의 지름보다 큰 폭을 갖도록 형성되어 오버행을 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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7
제 3 항에 있어서, 상기 제1 마스크층은, 상기 나노막대의 상면에 형성된 제1 유전층; 및상기 제2 유전층 상면에 적층 형성된 제2 유전층;을 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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제 7 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유전층은 1
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9
제 7 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유전층 간의 굴절률 차이는 1
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10
제 7 항에 있어서, 상기 발광층의 발광 파장을 λ라 할 때, 상기 제1 유전층의 두께는 λ/4n1이고, 상기 제2 유전층의 두께는 λ/4n2인 나노막대를 포함하는 발광소자
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11
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 나노막대의 크기는 아래 [수학식 1]을 만족하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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12
제 11 항에 있어서, 상기 D는 1~10㎛, 상기 h는 1~10㎛, 상기 r은 0
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13
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 나노막대 발광 구조물은 상기 발광층과 상기 제2 도전형 반도체층이 상기 나노막대의 측면을 감싸는 코어-쉘 구조로 형성된 나노막대를 포함하는 발광소자
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14
제 5 항에 있어서, 상기 발광층은 상기 나노막대와 직교하는 방향으로 상기 나노막대의 일측면 또는 양측면으로 돌출되는 상기 제1 마스크층의 양단부보다 상기 나노막대와 직교하는 방향으로 더 돌출되지 않는 두께로 형성된 나노막대를 포함하는 발광소자
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15
제 3 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층은 인접하게 형성된 나노막대 발광 구조물들 사이의 중앙으로 갈수록 상면이 하향 경사지도록 형성된 나노막대를 포함하는 발광소자
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16
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층은 상기 발광층에 접하는 적어도 일부분의 상면이 상기 나노막대의 측방향으로 수평면을 이루도록 형성된 나노막대를 포함하는 발광소자
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17
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 나노막대와 상기 발광층 사이에 배치된 버퍼층을 더 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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18
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 나노막대의 측면과 상기 발광층 사이에 배치된 단주기 초격자층(Short Period Superlattice, SPS)을 더 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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19
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 발광층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 전자 차단층(Electron Blocking Layer, EBL)을 더 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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20
제 3 항에 있어서, 상기 발광층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 상기 나노막대의 측면에만 선택적으로 형성되도록 상기 제1 도전형 반도체 베이스층의 상면을 덮도록 형성된 제2 마스크층을 더 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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21
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 발광층은 단일 양자우물(Single Quantum Well, SQW) 또는 다중 양자우물(Multi Quantum Well, MQW) 구조로 이루어진 나노막대를 포함하는 발광소자
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22
제 3 항에 있어서, 상기 제1 마스크층을 포함하는 상기 나노막대 발광 구조물의 상면을 따라 형성된 투명전극 또는 오믹 콘택층을 더 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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23
제 22 항에 있어서, 상기 투명전극 또는 상기 오믹 콘택층 상의 일부에 형성된 금속전극을 더 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자
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24
제 23 항에 있어서, 상기 금속전극은 상기 나노막대 발광 구조물들 사이의 중앙을 채우는 상기 제2 도전형 반도체층 상부와 중첩되도록 형성된 나노막대를 포함하는 발광소자
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25
제1 도전형 반도체 베이스층 상에 제1 마스크 패턴을 형성하는 과정;상기 제1 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용한 건식식각과 습식식각을 순차적으로 실시하여 상기 제1 도전형 반도체 베이스층를 식각하여 나노막대를 형성하는 과정;상기 제1 마스크 패턴의 상면과 상기 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 제2 마스크 패턴을 형성하는 과정; 및상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 나노막대의 측면에 발광층 및 제2 도전형 반도체층을 선택적으로 형성하는 과정;을 포함하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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26
제 25 항에 있어서, 상기 습식식각은 상기 제1 마스크 패턴의 양단부가 상기 나노막대와 직교하는 방향으로 상기 나노막대의 일측면 또는 양측면으로 돌출되어 오버행(overhang)이 형성되도록 상기 나노막대의 측면을 식각하여 상기 나노막대의 지름을 상기 제1 마스크 패턴의 폭보다 작게 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴은 1
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제 25 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴 간의 굴절률 차이는 1
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제 25 항에 있어서, 상기 발광층의 발광 파장을 λ라 할 때, 상기 제1 마스크 패턴의 두께는 λ/4n1이고, 상기 제2 마스크 패턴의 두께는 λ/4n2인 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 나노막대는 아래 [수학식 1]을 만족하는 크기로 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 30 항에 있어서, 상기 D는 1~10㎛, 상기 h는 1~10㎛, 상기 r은 0
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제 25 항에 있어서, 상기 발광층은 상기 나노막대와 직교하는 방향으로 상기 나노막대의 일측면 또는 양측면으로 돌출되는 상기 제1 마스크 패턴의 양단부보다 상기 나노막대와 직교하는 방향으로 돌출되지 않도록 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층은 인접하게 형성된 나노막대 발광 구조물들 사이의 중앙으로 갈수록 상면이 하향 경사지도록 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층은 상기 발광층에 접하는 적어도 일부분의 상면이 상기 나노막대의 측방향으로 수평면을 갖도록 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 나노막대와 상기 발광층 사이에 배치된 버퍼층을 더 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 나노막대의 측면과 상기 발광층 사이에 배치된 단주기 초격자층(Short Period Superlattice, SPS)을 더 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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37
제 25 항에 있어서, 상기 발광층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 전자 차단층(Electron Blocking Layer, EBL)을 더 형성하는 나노막대를 포함하는 발광소자의 제조방법
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패키지 본체;상기 패키지 본체 구비된 한 쌍의 리드 프레임; 및상기 한 쌍의 리드 프레임에 실장된 제 3 항 또는 제 4 항의 나노막대를 포함하는 발광소자;를 포함하는 발광소자의 패키지
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실장 기판; 및상기 실장 기판에 실장되고, 와이어를 통해 상기 실장 기판과 전기적으로 연결되는 제 3 항 또는 제 4 항의 나노막대를 포함하는 발광소자;를 포함하는 발광소자의 패키지
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제 3 항 또는 제 4 항의 나노막대를 포함하는 발광소자를 포함하는 발광모듈; 및상기 발광모듈을 구동시키는 구동부;를 포함하는 조명장치
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제 38 항의 발광소자의 패키지를 포함하는 발광모듈; 및상기 발광모듈을 구동시키는 구동부;를 포함하는 조명장치
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제 39 항의 발광소자의 패키지를 포함하는 발광모듈; 및상기 발광모듈을 구동시키는 구동부;를 포함하는 조명장치
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