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(1) 코어부인 자성체를 준비하는 단계; 및(2) 상기 코어부를 둘러싸도록 제1실리카 형성성분을 처리해 제1실리카층을 형성시킨 후 상기 제1실리카층 상에 란탄계 착물인 형광성 물질과 제2실리카 형성성분을 처리해 실리카층 및 상기 실리카층에 도핑된 형광성 물질을 함유하는 형광성 쉘부를 형성시키는 단계;를 포함하는 형광 자성 나노입자 제조방법
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제1항에 있어서, (1) 단계에서 상기 자성체는 에칭액에 5 ~ 60분간 처리된 다공성 자성체인 형광 자성 나노입자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 자성체는 Fe3O4, MFe2O4(여기서 M은 Co 또는 Ni임) 또는 γ-Fe2O3인 형광 자성 나노입자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체는 입경이 100 ~ 800㎚인 형광 자성 나노입자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (2) 단계는2-1) 자성체에 제1실리카 형성성분을 처리해 자성체를 둘러싸도록 제1실리카층이 형성된 제1입자를 제조하는 단계;2-2) 제1실리카층 표면을 아민기로 관능화시키는 단계; 및2-3) 표면이 아민기로 관능화된 제1입자에 란탄계 착물인 형광성 물질과 제2실리카 형성성분을 처리해 상기 제1실리카층 상에 제2실리카층이 형성된 실리카층 및 상기 실리카층에 형광성 물질이 도핑된 형광성 쉘부를 형성시키는 단계;를 포함하는 형광 자성 나노입자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 2-2) 단계는 (3-아미노프로필)트리에톡시실란(APTES), (3-아미노프로필)트리메톡시실란(APTMS), 3-(2-아미노에틸)-아미노프로필 트리메톡시실란, 및 (4-아미노부틸)트리에톡시실란(ABTES)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 아민기 관능화 물질을 처리하여 수행되는 형광 자성 나노입자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 형광성 물질은 상기 제1실리카층 및 제2실리카층 모두에 도핑되는 형광 자성 나노입자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1실리카 형성성분 및 제2실리카 형성성분은 각각 독립적으로 테트라에틸 오르소실리케이트(TEOS), 테트라메틸 오르소실리케이트(TMOS) 및 테트라프로필 오르소실리케이트(TPOS)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 형광 자성 나노입자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 란탄계 착물은 하기 화학식 1로 표시되는 물질인 형광 자성 나노입자 제조방법:[화학식 1]
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제1항에 있어서, 상기 (2) 단계에서 코어부인 자성체와 형광성 물질이 1:0
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제1항에 있어서, (2) 단계 후 (3) (2) 단계를 적어도 1회 반복 수행하여 코어부를 순차적으로 둘러싸는 다수 개의 형광성 쉘부를 형성시키는 단계를 더 포함하는 형광 자성 나노입자 제조방법
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자성체인 코어부; 및상기 코어부를 둘러싸며, 실리카층 및 상기 실리카층에 도핑된 형광성 물질을 포함하는 형광성 쉘부;를 포함하는 형광 자성 나노입자
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제12항에 있어서,상기 자성체는 다공성 구조를 가지는 다공성 자성체이며, 상기 실리카층은 다공성 자성체의 표면 상에 형성된 표면부와, 상기 표면부로부터 이어지며 다공성 자성체 표면으로부터 내부로 이어지는 유로에 배치된 앵커부를 구비하는 형광 자성 나노입자
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제12항에 있어서,상기 실리카층은 제1실리카층 및 상기 제1실리카층 상에 형성된 제2실리카층을 포함하며, 상기 제1실리카층은 형광성 물질이 도핑되는 공간을 제공하며, 제2실리카층은 형광성 물질이 도핑되는 공간을 제공하고 형광성 물질의 탈리를 방지하는 기능을 수행하는 형광 자성 나노입자
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제12항에 있어서,상기 형광성 쉘부는 2 ~ 3개 구비되는 형광 자성 나노입자
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제12항에 있어서,상기 형광 자성 나노입자는 직경이 1㎛ 미만인 형광 자성 나노입자
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제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 형광 자성 나노입자를 포함하는 생체 분자 영상 진단용 형광 나노 프로브
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