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수지층; 및 상기 수지층 일면 상에 배치된 나노와이어층을 포함하고, 상기 나노와이어층은 복수의 나노와이어집합체를 포함하고, 상기 복수의 나노와이어집합체는 상호 이격 배치되고, 일방향 정렬 구조를 가지며, 기판 전체가 만곡된 굴곡부를 포함하고,상기 굴곡부의 접선 방향과 상기 복수의 나노와이어집합체의 정렬 방향이 이루는 각도(θ)가 0° 003c# θ 003c# 90° 또는 90° 003c# θ 003c# 180° 중 어느 하나의 각도인, 카이로옵티컬(Chiroptical) 기판
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제1항에 있어서, 상기 굴곡부의 접선 방향(T)과 상기 나노와이어집합체(21)의 정렬 방향(P)이 이루는 각도(θ)가 δ°인 경우의 상기 카이로옵티컬 기판과 상기 굴곡부의 접선 방향(T)과 상기 나노와이어집합체(21)의 정렬 방향(P)이 이루는 각도(θ)가 (180-δ)°인 경우의 상기 카이로옵티컬 기판은 상호 반대 카이랄성을 나타내는, 카이로옵티컬 기판
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제1항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어집합체는 각각 복수의 나노와이어를 포함하고, 상기 나노와이어는 자성 플라즈몬 입자를 포함하는, 카이로옵티컬 기판
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제1항에 있어서, 상기 나노와이어는 코어; 및 상기 코어의 표면의 적어도 일부를 둘러싸면서 상기 코어와 이종의 성분을 포함하는 쉘을 포함하고, 상기 코어 및 상기 쉘 중 어느 하나는 금속 성분을 포함하고, 다른 하나는 자성 성분을 포함하는, 카이로옵티컬 기판
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제4항에 있어서, 상기 코어의 평균 폭이 0
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제1항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어집합체는 각각 복수의 나노와이어를 포함하고, 상기 복수의 나노와이어 중 임의의 두 나노와이어는 상호 길이 방향이 이루는 각도가 0°내지 20°인, 카이로옵티컬 기판
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제1항에 있어서, 상기 굴곡부의 곡률 반경이 1cm 내지 10cm인, 카이로옵티컬 기판
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제1항에 있어서, 상기 수지층은 폴리디메틸실록산(PDMS, Polydimethylsiloxane), 폴리이미드(Polyimide), 폴리아마이드(Polyamide), 폴리우레탄아크릴레이트(PUA, Polyurethaneacrylate) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는, 카이로옵티컬 기판
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제1항에 있어서, 상기 수지층의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 굴곡부는 상기 나노와이어층 측 표면을 기준으로 볼록부인, 카이로옵티컬 기판
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제1항에 있어서, 상기 굴곡부는 상기 나노와이어층 측 표면을 기준으로 오목부인, 카이로옵티컬 기판
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제1항에 있어서, 300nm 내지 900nm 파장 범위 중 어느 하나의 파장의 광에 대한 광투과율이 15% 이상인, 카이로옵티컬 기판
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수지층을 제조하는 단계; 상기 수지층 일면 상에 나노와이어 분산 용액을 도포하는 단계; 상기 수지층의 일면 상에 도포된 상기 나노와이어 분산 용액에 자기장을 인가하여 상호 이격 배치되고 일방향 정렬 구조를 갖는 복수의 나노와이어집합체를 포함하는 나노와이어층을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 나노와이어집합체의 정렬 방향과 0°003c# θ 003c# 90° 또는 90°003c# θ 003c# 180°중 어느 하나의 각도를 이루는 접선 방향을 갖는 굴곡부를 형성하는 단계를 포함하는, 카이로옵티컬(Chiroptical) 기판의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 수지층을 제조하는 단계는, 수지 조성물을 50℃ 내지 100℃의 온도에서 4시간 내지 10시간 경화하는 단계를 포함하는, 카이로옵티컬 기판의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 수지층을 제조하는 단계는, 상기 수지층의 표면의 음전하를 강화시키는 단계; 및 상기 수지층의 표면에 양으로 하전된 베이스 수지 조성물을 도포하는 단계;를 포함하는, 카이로옵티컬 기판의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 나노와이어 분산 용액은 나노와이어 농도가 50 ㎍/mL 내지 600 ㎍/mL인, 카이로옵티컬 기판의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 나노와이어층을 형성하는 단계는, 상기 나노와이어 분산 용액이 도포된 상기 수지층을 두 개의 자성체 사이에 배치하는 단계; 및상기 나노와이어 분산 용액을 건조하는 단계;를 포함하는, 카이로옵티컬 기판의 제조방법
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