맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비정질 탄화수소 박막의 패시베이션에 의한 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법

  • 기술번호 : KST2023004447
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 또는 박막트랜지스터와 같이 전하가 이동하는 전하 채널층을 포함하는 구조에서, 전하 채널층의 전하이동도를 향상시키는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전하 채널층의 표면 중 일부 또는 전체를 비정질 탄화수소 박막으로 패시베이션 하는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/49 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/51(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 21/02115(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020230050060 (2023.04.17)
출원인 충남대학교산학협력단, 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2559901-0000 (2023.07.21)
공개번호/일자 10-2023-0058333 (2023.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20230727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2020-0075954 (2020.06.22)
관련 출원번호 1020200075954
심사청구여부/일자 Y (2023.04.17)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김의태 대전광역시 중구
2 김동옥 대전광역시 유성구
3 이종훈 울산광역시 울주군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전 서구 둔산대로***번길 ** (만년동) ***호(타임국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
2 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2023.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2023-0429720-36
2 등록결정서
Decision to grant		 2023.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0645889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전계유도 박막트랜지스터의 전하 채널층 표면 중 일부 또는 전체에 비정질 탄화수소 박막으로 이루어진 유전상수가 10 이상인 고유전막으로 패시베이션층을 형성하며, 상기 패시베이션층이 게이트 유전막으로 작용하는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 비정질 탄화수소 박막이 채널층의 표면에 직접 성장되거나 또는 비정질 탄화수소 박막을 채널층의 표면에 전사되는 것에 의해 패시베이션되는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 비정질 탄화수소 박막의 두께는 단일 원자층 두께 ~ 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 채널층은 실리콘, 금속산화물 반도체, 유기 반도체 또는 그래핀으로부터 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR20210157756 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.