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a) 정련하고자 하는 목적 금속인 제1 금속 또는 음극에 포함된 제2 금속과 동일한 소재인 도가니에 제3 금속의 산화물을 포함하는 전해질을 충진하는 단계;b) 전해질에 포함된 상기 제3 금속의 산화물을 전해환원하여, 제2 금속과 제3 금속의 합금을 제조하는 단계; c) 상기 전해질에 제1 금속의 산화물을 투입하고 상기 제1 금속의 산화물과 상기 제2 금속과 제3 금속의 합금이 반응하여, 상기 제1 금속이 제1 금속과 제2 금속의 합금으로 환원되는 단계; 및d) 고화된 상기 제1 금속과 제2 금속의 합금을 전해정련하여, 상기 제1 금속과 제2 금속의 합금으로부터 제1 금속을 회수하는 전해정련 단계;를 포함하는 금속 정련방법
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제1항에 있어서, 상기 전해질은, 알칼리금속 및 알칼리토금속 군에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 금속의 할로겐화물의 용융염 및 제3 금속의 산화물을 포함하는, 금속 정련방법
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제1항에 있어서,상기 a) 내지 c) 단계는 동일한 도가니 내에서 실시간으로 수행되는, 금속 정련방법
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제1항에 있어서,상기 b) 및 c) 단계는 800 내지 1100℃에서 수행되는, 금속 정련방법
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제1항에 있어서,상기 제3 금속과 제2 금속의 합금에서, 상기 제3 금속이 60 mol% 이상 포함되며, 상기 제1 금속과 제2 금속의 합금에서, 상기 제1 금속이 60 mol% 이상 포함되는, 금속 정련방법
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제1항에 있어서,상기 금속 정련방법은 상기 b) 내지 c)단계 사이에, 상기 도가니 내부에 스컬(skull)이 형성되는 단계;를 더 포함하는 금속 정련방법
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7
제1항에 있어서,상기 제1 금속은 Ti, Zr, Mn, Cr, Zn, Ga, Ni, Fe, Co, W 및 Ta로 이루어진 전이금속 군에서 선택되는 금속 또는 Pr, Nd 및 Dy로 이루어진 희토류 금속군에서 선택되는 어느 하나의 금속으로 제공되는, 금속 정련방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 Cu, Sn, Zn, Pb, Bi, Cd 및 Fe로 이루어진 군에서 선택되는 금속으로 제공되는, 금속 정련방법
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제1 금속 또는 고체 금속 음극의 금속인 제2 금속과 동일한 소재인 도가니;상기 도가니에 충진되고 제3 금속의 산화물을 포함하는 전해질;제1 금속의 산화물을 상기 전해질에 투입하는 투입부;상기 전해질에 침지되는 불용성 양극; 및상기 전해질에 침지되며, 제2 금속을 포함하는 음극;을 포함하고,상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 합금을 제조하는, 금속 전해환원장치
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10
제9항에 있어서, 상기 제1 금속은 Ti, Zr, Mn, Cr, Zn, Ga, Ni, Fe, Co, W 및 Ta로 이루어진 전이금속 군에서 선택되는 금속 또는 Pr, Nd 및 Dy로 이루어진 희토류 금속군에서 선택되는 어느 하나의 금속으로 제공되는, 금속 전해환원장치
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제10항에 있어서,상기 제1 금속이 Ti, Zr, Mn, Cr, Zn, Ga, Ni, Fe, Co, W 및 Ta로 이루어진 전이금속으로 제공되면,상기 도가니는 상기 제1 금속과 동일한 금속으로 제조되는, 금속 전해환원장치
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제9항에 있어서, 상기 제2 금속은 Cu, Sn, Zn, Pb, Bi, Cd 및 Fe로 이루어진 군에서 선택되는 금속으로 제공되는, 금속 전해환원장치
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제10항 및 제12항에 있어서, 상기 제1 금속이 Pr, Nd 및 Dy로 이루어진 희토류 금속으로 제공되면,상기 제2 금속을 Fe로 사용하고, 상기 도가니를 제2 금속으로 제조되는, 금속 전해환원장치
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제9항에 있어서, 상기 불용성 양극은 내부에 이온전도성 세라믹, 전기전도성 세라믹, Cermet 및 전도성 탄화물 세라믹 중에서 선택되는 어느 하나의 소재를 포함하는 코어층 및상기 코어층을 감싸는 Ni 또는 Cu를 포함하는 합금층이 형성된, 금속 전해환원장치
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제14항에 있어서, 상기 불용성 양극에서 합금층은 상기 전해정련 과정중에 발생하는 산소와 반응하여 양극 표면에 금속 산화물 형태의 보호막을 형성하는, 금속 전해환원장치
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