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공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버;상기 챔버 내에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;상기 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급부;상기 챔버 내 가스를 배출시키는 배기부;상기 챔버에 설치되어 상기 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부; 및상기 플라즈마 생성부에 VHF(Very High Frequency) 대역의 신호를 인가하는 VHF 전원;을 포함하는 원자층 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 가스 공급부는:상기 챔버에 실리콘 전구체 가스, 플라즈마 소스 가스 또는 퍼지 가스를 공급하는 원자층 증착 장치
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제 2 항에 있어서,상기 가스 공급부는:상기 챔버에 상기 기판이 배치된 후, 상기 실리콘 전구체 가스를 기 설정된 제 1 시간 동안 기 설정된 제 1 유량만큼 공급하고, 상기 퍼지 가스를 기 설정된 제 2 시간 동안 기 설정된 제 2 유량만큼 공급하고, 상기 플라즈마 소스 가스를 기 설정된 제 3 시간 동안 기 설정된 제 3 유량만큼 공급하고, 상기 퍼지 가스를 상기 제 2 시간 동안 상기 제 2 유량만큼 공급하는 사이클을 반복하는 원자층 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 생성부는:상기 기판을 사이에 두고 서로 마주보도록 설치되어 상기 챔버 내에 전기장을 형성하는 상부 전극과 하부 전극; 및상기 챔버의 상부 또는 측부에 설치되어 상기 챔버 내에 전자장을 형성하는 코일;중 적어도 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 VHF 전원은 30 내지 300 MHz의 주파수를 갖는 신호를 상기 플라즈마 생성부에 인가하는 원자층 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 VHF 전원과 상기 플라즈마 생성부 사이에 연결되어 상기 VHF 전원의 출력 임피던스와 상기 플라즈마 생성부의 입력 임피던스를 정합시키는 임피던스 정합부를 더 포함하는 원자층 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판 지지부에 설치되어 상기 기판을 가열하는 가열부를 더 포함하는 원자층 증착 장치
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제 3 항에 있어서,상기 가스 공급부는:상기 실리콘 전구체 가스로 클로라이드계 실리콘 전구체, 아미드(amide)계 실리콘 전구체, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 실리콘 전구체를 1 sccm만큼 3 초 또는 그보다 긴 시간 동안 공급하는 원자층 증착 장치
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제 3 항에 있어서,상기 가스 공급부는:상기 플라즈마 소스 가스로 질소 함유 반응 물질을 200 sccm만큼 2 초 또는 그보다 긴 시간 동안 공급하는 원자층 증착 장치
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제 3 항에 있어서,상기 가스 공급부는:상기 퍼지 가스로 아르곤을 50 sccm만큼 6 초 또는 그보다 긴 시간 동안 공급하는 원자층 증착 장치
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제 5 항에 있어서,상기 VHF 전원은 60 MHz의 주파수를 갖는 신호를 상기 플라즈마 생성부에 인가하는 원자층 증착 장치
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제 7 항에 있어서,상기 가열부는 상기 기판을 150 내지 200 ℃로 가열하는 원자층 증착 장치
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기판이 배치된 챔버에 실리콘 전구체 가스를 공급하는 단계;상기 챔버에 퍼지 가스를 공급하여 상기 챔버를 퍼징하는 단계;상기 챔버에 플라즈마 소스 가스를 공급하면서 상기 챔버에 설치된 플라즈마 생성부에 VHF 대역의 신호를 인가하는 단계; 및상기 챔버에 상기 퍼지 가스를 공급하여 상기 챔버를 퍼징하는 단계;를 포함하는 원자층 증착 방법
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제 13 항에 있어서,상기 VHF 대역의 신호를 인가하는 단계는:상기 플라즈마 생성부에 30 내지 300 MHz의 주파수를 갖는 신호를 인가하는 단계를 포함하는 원자층 증착 방법
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제 13 항에 있어서,상기 실리콘 전구체 가스를 공급하는 단계는:상기 챔버에 클로라이드계 실리콘 전구체, 아미드(amide)계 실리콘 전구체, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 실리콘 전구체를을 1 sccm만큼 3 초 또는 그보다 긴 시간 동안 공급하는 단계를 포함하는 원자층 증착 방법
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제 13 항에 있어서,상기 플라즈마 소스 가스를 공급하면서 VHF 대역의 신호를 인가하는 단계는:상기 챔버에 질소 함유 반응 물질을 200 sccm만큼 2 초 또는 그보다 긴 시간 동안 공급하는 단계를 포함하는 원자층 증착 방법
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제 16 항에 있어서,상기 플라즈마 소스 가스를 공급하면서 VHF 대역의 신호를 인가하는 단계는:상기 플라즈마 생성부에 60 MHz의 주파수를 갖는 신호를 인가하는 단계를 포함하는 원자층 증착 방법
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제 13 항에 있어서,상기 챔버를 퍼징하는 단계는:상기 챔버에 아르곤을 50 sccm만큼 6 초 또는 그보다 긴 시간 동안 공급하는 단계를 포함하는 원자층 증착 방법
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제 13 항에 있어서,상기 실리콘 전구체 가스를 공급하는 단계 전, 상기 기판을 기 설정된 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 원자층 증착 방법
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제 19 항에 있어서,상기 기판을 기 설정된 온도로 가열하는 단계는:상기 기판을 180 ℃로 가열하는 단계를 포함하는 원자층 증착 방법
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