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1) 백금(Pt) 및 실리콘 산화물(SiO2)이 소정의 패턴을 갖고 배열된 표면을 갖는 기판을 준비하는 단계;2) 상기 기판 표면에 표면 비활성 개질제를 반응시켜 상기 표면 비활성 개질제와 SiO2 표면의 반응으로 SiO2 표면을 비활성화시키는 단계; 및3) 상기 SiO2 표면이 비활성화된 기판 표면에 전구체 기체를 접촉시켜 Pt표면에 선택적으로 박막을 증착하는 단계;를 포함하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면 비활성 개질제는 단일 분자 내 실레인 작용기(Silane group) 및 C10 이상의 할로겐으로 치환 또는 비치환된 알킬기(alkyl group)를 모두 포함하는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 표면 비활성 개질제는 C10 ~ C30의 할로겐으로 치환 또는 비치환된 알킬트리클로로실레인 화합물인 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3) 단계는 원자층 증착법(ALD)에 의하여 증착하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 제조방법
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제4항에 있어서,상기 3) 단계는 백금(Pt), 루비듐(Ru), 코발트(Co), 니켈(Ni), 알루미나(Al2O3), 이산화티탄(TiO2), 산화아연(ZnO) 및 산화하프늄(HfO2) 중 선택된 하나 이상의 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 3) 단계는 알루미나 박막 및 산화하프늄 박막 중 하나 이상의 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 3) 단계에서 알루미나 박막의 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이며, 산화하프늄 박막의 전구체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 제조방법:[화학식 1]Al[-R]x[-Cl]3-x[화학식 2]Hf[-NR']y[-Cl]4-y상기 화학식 1 및 화학식 2에서 R 및 R'은 각각 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기, x는 0 내지 3의 정수이고, y는 0 내지 4의 정수이다
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표면에 표면 비활성 개질제가 결합된 이산화실리콘(SiO2)을 포함하는 제1 영역 및 백금(Pt)을 포함하는 제2 영역을 포함하는 기판;상기 기판 표면의 제2 영역 상에 수직으로 증착된 금속 또는 금속 산화물 박막을 포함하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자
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제8항에 있어서,상기 표면에 표면 비활성 개질제가 결합된 이산화실리콘을 포함하는 제1 영역 표면 상에도 상기 금속 또는 금속 산화물 박막이 증착되어 있으며,상기 제1 영역 상에 증착된 상기 금속 또는 금속 산화물 박막의 두께 d1과 상기 제2 영역 상에 증착된 상기 금속 또는 금속 산화물 박막의 두께 d2는 하기 조건식 1)을 만족시키는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자:1) d1/d2 ≤ 0
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제8항에 있어서,상기 제2 영역 상에 수직으로 증착된 금속 또는 금속 산화물 박막 상에 백금 박막이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자
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