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기판 상에 합성 촉매를 형성하는 단계;상기 기판 상에 4 족 반도체 코어를 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 2 차원 소재 쉘의 전구체를 공급하여 상기 4 족 반도체 코어 표면 상에 2 차원 소재 쉘을 형성하는 단계;를 포함하는 것인,코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 2 차원 소재 쉘의 전구체를 공급하는 단계는, 상기 4 족 반도체 코어를 형성하는 단계와 동시에 수행되는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 4 족 반도체 코어는 상기 기판으로부터 수직하게 성장하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 4 족 반도체 코어는, Ge, Si, Sn, Pb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2 차원 소재 쉘은 B, N, P, S, Se, Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 코어-쉘 구조체의 제조 방법은, 4 족 반도체 코어를 열처리하는 단계를 추가 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 4 족 반도체 코어를 열처리함으로써, 상기 4 족 반도체 코어 내부의 2 차원 소재 쉘의 전구체가 상기 4 족 반도체 코어의 표면으로 석출되어 2 차원 소재 쉘이 형성되는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 합성 촉매를 형성하는 단계는, 스퍼터링 공정(sputtering), 열증착 공정(thermal evaporation), 전자 빔 증착 공정(e-beam evaporation), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 4 족 반도체 코어를 형성하는 단계 및 상기 2 차원 소재 쉘을 형성하는 단계는 각각 독립적으로 대기압 화학 기상 증착 공정(atmosphere pressure chemical vapor deposition), 저기압 화학 기상 증착 공정 (low pressure chemical vapor deposition), 플라즈마 화학 기상 증착 공정(plasma chemical vapor deposition), 원자층 증착 공정(atomic layer deposition), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 합성 촉매는 Au, Ag, Pt, Cu, Ni, Pd, Zn, Cd, Hg, Fe, Ru, Os, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 4 족 반도체 코어는, 나노 와이어, 나노 입자, 나노 로드, 나노 튜브, 나노 케이블, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체의 제조 방법
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4 족 반도체 코어; 및상기 4 족 반도체 코어의 표면에 형성된, 2 차원 소재 쉘;을 포함하는,코어-쉘 구조체
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제 12 항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조체는 와이어 형상을 포함하는 것인, 코어-쉘 구조체
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제 12 항에 있어서,상기 2 차원 소재 쉘은, 상기 4 족 반도체 코어의 부피 팽창을 억제하는 것인, 코어-쉘 구조체
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제 12 항에 있어서,상기 코어-쉘 구조체의 직경은 100 nm 내지 500 nm 인, 코어-쉘 구조체
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제 12 항에 따른 코어-쉘 구조체를 포함하는, 음극 소재
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